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Metadata

%0 Conference Proceedings
%4 sid.inpe.br/mtc-m16d/2018/10.11.16.46
%2 sid.inpe.br/mtc-m16d/2018/10.11.16.46.43
%@issn 2177-3114
%T Geração de RF em 200 MHz baseada em Linhas de Transmissão Não Lineares (LTNLs) com diodos Schottky de carbeto de silício
%D 2018
%A Raimundi, L. R.,
%A Rossi, José Osvaldo,
%A Rangel, Elizete Gonçalves Lopes,
%@affiliation Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%@affiliation
%@affiliation Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%@electronicmailaddress lucas.reis@lit.inpe.br
%@electronicmailaddress jose.rossi@inpe.br
%@electronicmailaddress elizete.rangel@inpe.br
%E Santos, Walter Abrahão dos,
%E Rodrigues, Italo Pinto,
%E Lima, Jeanne Samara dos Santos,
%E Rodrigues, Aline Castilho,
%E Mateus, Dairo Antonio Cuellar,
%E Moreira, Herbi Júnior Pereira,
%E Barbosa, ivan Márcio,
%E Tenório, Plínio Ivo Gama,
%E Toledo, Rafael Cardoso,
%E Pereira, Yuri Matheus Dias,
%B Workshop em Engenharia e Tecnologia Espaciais, 9 (WETE)
%C São José dos Campos
%8 15-16 ago. 2018
%S Anais
%I Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%J São José dos Campos
%1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%K Linhas de transmissão não lineares (LTNLs), Geração de RF, Carbeto de silício, Diodos schottky.
%X Linhas de transmissão não lineares (LTNLs) têm sido usadas com grande sucesso para a geração de radiofrequência (RF) de alta potência. Geralmente, sua operação consiste em uma linha concentrada baseada no comportamento não linear dos componentes da seção LC, capacitores ou indutores, em função da tensão ou corrente aplicada, respectivamente. Entretanto, considerando sinais de alta potência, o emprego de capacitores cerâmicos em linhas capacitivas concentradas é restrito a frequências em torno de 80 MHz, devido à limitação do valor mínimo de capacitância apresentado por estes componentes. Por outro lado, a utilização de diodos de capacitância variável de baixa tensão tem permitido a operação de LTNLs em frequências mais altas (250 MHz). Além disso, com o advento dos diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) de alta tensão, espera-se que as LTNLs possam operar com maior potência e em mais altas frequências. Este trabalho apresenta a construção de uma LTNL baseada em diodos Schottky de SiC para gerar RF em alta frequência. Seu princípio de funcionamento é apresentado, onde a dependência de tensão da capacitância do diodo é modelada. Os resultados experimentais e de simulação são comparados e discutidos. Oscilações na frequência de aproximadamente 200 MHz foram obtidas.
%9 Engenharia e Gerenciamento de Sistemas Espaciais
%@language pt
%3 2 - [ARTIGO] Lucas dos Reis Raimundi.pdf


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