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FORNARI, C. I.; FORNARI, G.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.; TRAVELHO, J. S. Formation of structural defects during Bi2Te3 epitaxy investigated by a Monte Carlo computational model. São José dos Campos: INPE, 2017. BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 18. (BWSP), 14-18 ago., Maresias, SP. Transparências. On-line.

Veja também:

FORNARI, C. I.; FORNARI, G.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.; TRAVELHO, J. S. Formation of structural defects during Bi2Te3 epitaxy investigated by a Monte Carlo computational model. In: BRAZILIAN WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, 18. (BWSP), , Maresias, SP. Resumos... 2017. IBI: <8JMKD3MGP3W34P/3PGF64P>. Disponível em: <http://urlib.net/rep/8JMKD3MGP3W34P/3PGF64P>.

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... como proposto por Fornari et al. (2017).
... pode ser encontrada na literatura (FORNARI et al., 2017).



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