1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Evento (Conference Proceedings) |
Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 6qtX3pFwXQZGivnJVY/L3tJA |
Repositório | sid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/05.04.13.40 |
Última Atualização | 2020:09.07.00.54.48 (UTC) simone |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/05.04.13.40.16 |
Última Atualização dos Metadados | 2022:09.14.19.55.29 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE-13707-PRE/8902 |
Rótulo | self-archiving-INPE-MCTIC-GOV-BR |
Chave de Citação | DiasUeda:2001:ImNiLi |
Título | Implantação de nitrogenio em liga de AL5052 por imersão em plasma |
Projeto | Implantação Iônica por Imersão em Plasma (IIIP) |
Ano | 2001 |
Data de Acesso | 04 jun. 2024 |
Tipo Secundário | PRE CN |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 107 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Dias, Fabio Garcia 2 Ueda, Mário |
Grupo | 1 2 LAP-INPE-MCT-BR |
Afiliação | 1 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasma (INPE.LAP) |
Nome do Evento | Seminário de Iniciação Científica do INPE (SICINPE). |
Localização do Evento | São José dos Campos |
Data | 7-9 ago. |
Páginas | 19 |
Histórico (UTC) | 2006-05-04 13:40:16 :: vinicius -> administrator :: 2006-11-09 18:30:54 :: administrator -> vinicius :: 2008-02-11 13:25:20 :: vinicius -> administrator :: 2018-03-26 11:49:29 :: administrator -> marciana :: 2001 2018-03-26 11:49:56 :: marciana -> administrator :: 2001 2018-06-05 01:21:38 :: administrator -> marciana :: 2001 2020-02-11 13:36:16 :: marciana -> simone :: 2001 2020-09-07 00:54:49 :: simone -> administrator :: 2001 2022-09-14 19:55:29 :: administrator -> simone :: 2001 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Palavras-Chave | PLASMA Nitrogenio Imersão em plasma Alumínio Implantação iônica por imersão em plasma Nitrogen Aluminun Plasmar immersion Plasma immersion ion implantation |
Resumo | O alumínio é o metal não-ferroso com a mais ampla aplicação industrial, atualmente. Vários tipos de ligas de alumínio têm sido desenvolvidos para utilizações em diversos ramos de engenharia incluindo, aeronáutica, eletrônica, processamento de alimentos, automotiva, etc. O Al5052 (ASTM B211) é uma liga de Al com resistência média, boa propriedade de fadiga e é comumente usada em montagens de iluminação pública e construções navais. A liga Al5052 contêm uma composição nominal de 2% Mg, 0,5% Cr. 97% Al e possui uma temperatura de fusão de 625ºC. Amostras feitas de Al5052 com um diâmetro de 1 cm e espessura de 3mm foram polidas com um acabamento de espelho e limpas quimicamente. Elas foram implantadas com nitrogênio pela técnica de implantação iônica por imersão em plasma (IIIP), operando-se o plasma e o pulsador de alta voltagem em diferentes condições, para se entender o processo básico da implantação tridimensional e nitretação. Em alguns casos, as superfícies das amostras foram limpas por sputtering de Ar, antes do tratamento IIIP. A seguir apresentamos os resultados obtidos neste experimento. Quando o potencial de flutuação do plasma na descarga DC luminescente era alta (>100V) e o tempo de irradiação dos íons longa (tipicamente mais longo que 1000min, quando a amostra era pulsada a 20 Hz), uma dose retida (DR) baixa de <5x10 16 cm-2 foi obtida, a qual foi determinada por EEA (Espectroscopia de Elétrons Auger). A energia de implantação usada neste caso foi de 12 keV e a percentagem atômica de pico obtida foi de 20% Sputtering da superfície da amostra pelo plasma agindo durante o período de pulso - desligado era a maior causa de tais limites em dose retida. Mesmo quando o potencial de plasma foi reduzido a menos que 100V, a DR não foi significativamente aumentada para processamento IIIP a 12 KeV, com parâmetros de implantação de 1000 min e 20Hz. Este resultado foi interpretado como um problema de oxidação rápida da superfície da amostra durante o processamento IIIP no nosso dispositivo, devido a uma grande quantidade de oxigênio residual na câmara e a sua fácil incorporaçao na amostra. Diminuindo dramaticamente o tempo de processamento para 60 min, com a repetição de pulso para 670 Hz, a DR obtida foi maior que 1 x 10 17 cm-2. A nanoindentação de amostras possuindo DR de tais níveis mostrou um leve aumento na dureza superficial. Mais importante foi o aumento do módulo da elasticidade em tal amostra que foi maior que 50%, após a implantação de nitrogênio por IIIP. Uma segregação de Mg aumentada por efeitos de radiação foi observada em amostra de Al5052 implantada com nitrogênio, em condições descritas acima. Tratamentos IIIP com energias maiores (cerca de 20 keV) está sendo testada para implantação de íons de nitrogênio através da camada de óxido e desta forma resultar no aumento da dose retida e consequentemente na melhora das propriedades superficiais das ligas de alumínio. |
Área | FISPLASMA |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Implantação de nitrogenio... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
URL dos dados | http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZGivnJVY/L3tJA |
URL dos dados zipados | http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZGivnJVY/L3tJA |
Idioma | pt |
Arquivo Alvo | Dias_implantacao.pdf |
Grupo de Usuários | administrator simone vinicius |
Grupo de Leitores | administrator simone |
Visibilidade | shown |
Detentor da Cópia | SID/SCD |
Permissão de Atualização | não transferida |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ET2RFS 8JMKD3MGPDW34P/478H9C5 |
Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/mtc-m16c/2022/07.08.19.53 2 |
Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
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6. Notas | |
Notas | Bolsa PIBIC/INPE/CNPq |
Campos Vazios | archivingpolicy archivist booktitle callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor electronicmailaddress format isbn issn lineage mark mirrorrepository nextedition numberofvolumes orcid organization parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress publisher publisheraddress readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype type url versiontype volume |
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7. Controle da descrição | |
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