1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
Site | mtc-m21c.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 8JMKD3MGP3W34R/3TJBCD8 |
Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21c/2019/07.02.11.16 (acesso restrito) |
Última Atualização | 2019:07.02.11.16.56 (UTC) simone |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21c/2019/07.02.11.16.56 |
Última Atualização dos Metadados | 2020:01.06.11.42.15 (UTC) administrator |
DOI | 10.1002/pssb.201800643 |
ISSN | 0370-1972 |
Chave de Citação | LeonPadillaTolSilSilLaR:2019:GfAnIn |
Título | g-factor anisotropy inversion in InGaAs 2D nanostructures |
Ano | 2019 |
Mês | June |
Data de Acesso | 15 jun. 2024 |
Tipo de Trabalho | journal article |
Tipo Secundário | PRE PI |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 417 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Leon Padilla, Jhon Elber 2 Toloza Sandoval, Marcelo Alejandro 3 Silva, Antonio Ferreira da 4 Silva, Erasmo Assumpção de Andrada e 5 La Rocca, Giuseppe Carlo |
Identificador de Curriculo | 1 2 3 8JMKD3MGP5W/3C9JGJC |
Grupo | 1 2 3 4 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR |
Afiliação | 1 Universidade Federal da Bahia (UBA) 2 Universidade Federal da Bahia (UBA) 3 Universidade Federal da Bahia (UBA) 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 5 Scuola Normale Superiore and CNISM |
Endereço de e-Mail do Autor | 1 2 3 4 erasmo.silva@inpe.br |
Revista | Physica Status Solidi B: Basic Research |
Volume | 256 |
Número | 6 |
Páginas | e1800643 |
Nota Secundária | B1_MATERIAIS B1_INTERDISCIPLINAR B1_ENGENHARIAS_IV B1_ENGENHARIAS_III B1_ENGENHARIAS_II B3_QUÍMICA B3_ENSINO B3_CIÊNCIAS_BIOLÓGICAS_II B3_ASTRONOMIA_/_FÍSICA |
Histórico (UTC) | 2019-07-03 18:44:59 :: simone -> administrator :: 2019 2019-07-03 18:45:00 :: administrator -> simone :: 2019 2019-07-03 18:45:07 :: simone -> administrator :: 2019 2020-01-06 11:42:15 :: administrator -> simone :: 2019 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Tipo de Versão | publisher |
Resumo | he inversion or sign change of the electron g-factor anisotropy in thin-layer semiconductor nanostructures is investigated theoretically and gauged for InGaAs asymmetric single and double quantum wells (QWs). The g-factor anisotropy in these 2D nanostructures is given by the difference between the longitudinal and transverse components; it is a fine sensor of the confining potential and in InGaAs structures it is determined by the Rashba spinorbit coupling. In the presence of structure inversion asymmetry (SIA) the g-factor anisotropy is expected to invert at a critical well width. This effect can be useful technologically and is here analyzed in detail with InGaAs/InP asymmetric multi-layer structures. The g-factor anisotropy in these structures is calculated in a fine grid around the inversion point, using 8-band kp Kane model based envelope function theory for the nanostructure, and perturbation theory for the calculation of the effective g factor. It is shown that the anisotropy inversion can be seen only in asymmetric structures with very thin layers, near the limit of no bound states allowed, and corresponding to the electron being pushed out of the confining region. The inversion point, or critical well width for the g-factor anisotropy inversion in Insulator/InGaAs/InP QWs is determined to be ≈4 nm. For double or coupled QWs it is found that the inversion can be observed only with very thin tunneling barriers around 1 nm wide. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > g-factor anisotropy inversion... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | |
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4. Condições de acesso e uso | |
Idioma | en |
Arquivo Alvo | Padilla_et_al-2019-physica_status_solidi_(b).pdf |
Grupo de Usuários | simone |
Grupo de Leitores | administrator simone |
Visibilidade | shown |
Política de Arquivamento | denypublisher denyfinaldraft |
Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 |
Permissão de Atualização | não transferida |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.40.22 3 sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 1 |
Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES. |
Acervo Hospedeiro | urlib.net/www/2017/11.22.19.04 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | alternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | simone |
atualizar | |
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