| 1. Identificação | ||||||||||||||||
| Tipo de Referência | Tese ou Dissertação (Thesis) | |||||||||||||||
| Site | mtc-m16d.sid.inpe.br | |||||||||||||||
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S | |||||||||||||||
| Identificador | 8JMKD3MGP7W/3873HSL | |||||||||||||||
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m19/2010/09.02.14.27 | |||||||||||||||
| Última Atualização | 2011:01.12.10.37.03 (UTC) administrator | |||||||||||||||
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m19/2010/09.02.14.27.49 | |||||||||||||||
| Última Atualização dos Metadados | 2020:04.28.18.34.16 (UTC) administrator | |||||||||||||||
| Chave Secundária | INPE-16776-TDI/1703 | |||||||||||||||
| Chave de Citação | SilvaJr:2010:TrMaMe | |||||||||||||||
| Título | Tratamento de materiais metálicos via implantação iônica por imersão em plasma de nitrogênio em ambiente com baixa concentração de oxigênio  | |||||||||||||||
| Título Alternativo | Treatment of metal materials via nitrogen plasma immersion ion implantation with low oxygen concentration environment | |||||||||||||||
| Curso | CMS-SPG-INPE-MCT-BR | |||||||||||||||
| Ano | 2010 | |||||||||||||||
| Data | 2010-09-28 | |||||||||||||||
| Data de Acesso | 20 jun. 2024 | |||||||||||||||
| Tipo da Tese | Dissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores) | |||||||||||||||
| Tipo Secundário | TDI | |||||||||||||||
| Número de Páginas | 118 | |||||||||||||||
| Número de Arquivos | 1 | |||||||||||||||
| Tamanho | 5202 KiB | |||||||||||||||
| 2. Contextualização | ||||||||||||||||
| Autor | Silva Junior, Ataíde Ribeiro da | |||||||||||||||
| Grupo | CMS-SPG-INPE-MCT-BR | |||||||||||||||
| Banca | Ueda, Mario (presidente/orientador) Oliveira, Rogério de Moraes Machida, Munemasa | |||||||||||||||
| Endereço de e-Mail | ataidejr2003@yahoo.com.br | |||||||||||||||
| Universidade | Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais | |||||||||||||||
| Cidade | São José dos Campos | |||||||||||||||
| Histórico (UTC) | 2010-09-02 14:40:11 :: ataide@plasma.inpe.br -> yolanda :: 2010-09-10 14:47:42 :: yolanda -> ataide@plasma.inpe.br :: 2010-11-24 12:00:18 :: ataide@plasma.inpe.br -> yolanda :: 2010-12-15 17:35:08 :: yolanda -> ricardo :: 2010-12-22 16:56:06 :: ricardo -> viveca@sid.inpe.br :: 2010-12-23 11:34:25 :: viveca@sid.inpe.br :: -> 2010 2010-12-23 12:03:22 :: viveca@sid.inpe.br -> ricardo :: 2010 -> 2010-12-23 12:29:26 :: ricardo -> viveca@sid.inpe.br :: 2010-12-23 12:29:47 :: viveca@sid.inpe.br -> ricardo :: -> 2010 2011-01-12 10:37:41 :: ricardo -> viveca@sid.inpe.br :: 2010 2011-01-12 13:22:31 :: viveca@sid.inpe.br -> administrator :: 2010 2020-04-28 18:34:16 :: administrator -> simone :: 2010 | |||||||||||||||
| 3. Conteúdo e estrutura | ||||||||||||||||
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz | |||||||||||||||
| Estágio do Conteúdo | concluido | |||||||||||||||
| Transferível | 1 | |||||||||||||||
| Palavras-Chave | implantação iônica alumínio oxigênio residual Analisador de Gas Residual (RGA) ion implantation aluminium residual oxigen Residual Gas Analyzer (RGA) | |||||||||||||||
| Resumo | Neste trabalho investigamos os efeitos dos elementos contaminantes presentes na câmara de vácuo do sistema 3IP, em particular, do oxigênio residual que forma compostos óxidos na superfície, sendo grande responsável pela necessidade de alta energia de implantação dos íons para se obter camadas tratadas de espessuras razoáveis. Foi utilizado um espectrômetro de massa (RGA) de filtro quadrupolar para se verificar a composição residual do vácuo e pressões relativas dos elementos presentes na câmara. Encontrou-se uma grande proporção de oxigênio residual para um vácuo com uma pressão de 1x10$^{-3}$ Pa. Minimizando a presença de oxigênio residual em cerca de 80\%, através de limpezas eficazes das paredes da câmara por descarga luminescente e alimentação de gás mais apurada, atenuamos a formação de óxidos durante o tratamento 3IP. Conseguiu-se assim realizar processamentos 3IP extremamente eficientes em materiais metálicos, atingindo camadas implantadas de aproximadamente 50 nm, mesmo em casos como em ligas de alumínio, que normalmente apresentam dificuldades para implantação de nitrogênio em baixas energias. Realiza-se o tratamento 3IP de nitrogênio com pulsos de apenas 3 kV e 15x10$^{-6}$s de duração, numa freqüência de 1 kHz com uma pressão de operação de 1 Pa. ABSTRACT: In this work, we investigated the effects of the contaminants present in the vacuum chamber of the PI3 system, in particular, the residual oxygen, which results in the formation of the oxide compounds on the surface and hence is responsible for the high implantation energies required to achieve reasonably thick treated layers. We used a mass spectrometer (RGA) with a quadrupole filter to verify the composition of the residual vacuum and pressure of the elements present in the chamber. Initially, we found a high proportion of residual oxygen in a base pressure of 1x10$^{-3}$ Pa. Minimizing the residual oxygen percentage in about 80\%, by efficient cleaning of the chamber walls and improving the gas feeding process, we mitigated the formation of oxides during PI3 process. As a result, we achieved a highly efficient PI3 processing, obtaining implanted layers reaching about 50 nm, even in cases such as aluminum alloy, which is very difficult to nitrogen implant at low energies. We performed nitrogen PI3 treatments with pulses of only 3 kV and 15x10$^{-6}$ s at 1kHz with an operating pressure of 1Pa. | |||||||||||||||
| Área | ETES | |||||||||||||||
| Arranjo | Tratamento de materiais... | |||||||||||||||
| Conteúdo da Pasta doc | acessar | |||||||||||||||
| Conteúdo da Pasta source |
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| Conteúdo da Pasta agreement |
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| 4. Condições de acesso e uso | ||||||||||||||||
| URL dos dados | http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP7W/3873HSL | |||||||||||||||
| URL dos dados zipados | http://urlib.net/zip/8JMKD3MGP7W/3873HSL | |||||||||||||||
| Idioma | pt | |||||||||||||||
| Arquivo Alvo | publicacao.pdf | |||||||||||||||
| Grupo de Usuários | administrator ataide@plasma.inpe.br ricardo viveca@sid.inpe.br yolanda.souza@mcti.gov.br | |||||||||||||||
| Visibilidade | shown | |||||||||||||||
| Detentor da Cópia | SID/SCD | |||||||||||||||
| Permissão de Atualização | não transferida | |||||||||||||||
| 5. Fontes relacionadas | ||||||||||||||||
| Repositório Espelho | sid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02.53 | |||||||||||||||
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3F358GL | |||||||||||||||
| Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/bibdigital/2013/10.14.21.39 2 | |||||||||||||||
| Divulgação | NTRSNASA; BNDEPOSITOLEGAL. | |||||||||||||||
| Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02 | |||||||||||||||
| 6. Notas | ||||||||||||||||
| Campos Vazios | academicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype copyright creatorhistory descriptionlevel doi electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype | |||||||||||||||
| 7. Controle da descrição | ||||||||||||||||
| e-Mail (login) | simone | |||||||||||||||
| atualizar | ||||||||||||||||