@InProceedings{GomesBald:2014:UtElDi,
author = "Gomes, Dener Reis and Baldan, Maur{\'{\i}}cio Ribeiro",
affiliation = "ETEP and {Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)}",
title = "Utiliza{\c{c}}{\~a}o de eletrodos de diamantes no processo de
degrada{\c{c}}{\~a}o de org{\^a}nicos",
booktitle = "Anais...",
year = "2014",
organization = "Semin{\'a}rio de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica do
INPE (SICINPE).",
publisher = "INPE",
address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
note = "{Bolsa PIBIC/INPE/CNPq}",
keywords = "diamante, tit{\^a}nio.",
abstract = "Este trabalho tem como objetivo a produ{\c{c}}{\~a}o e
caracteriza{\c{c}}{\~a}o de eletrodos, com filme aderente de
diamante, aplicados na degrada{\c{c}}{\~a}o de
solu{\c{c}}{\~o}es t{\'o}xicas. Uma vez que o diamante
det{\'e}m propriedades {\'{\i}}mpares, abre-se um vasto leque
de uso desta subst{\^a}ncia. Ele {\'e} um material duro, que
possui alta resist{\^e}ncia {\`a} abras{\~a}o, {\'o}timo
condutor t{\'e}rmico, isolante de corrente el{\'e}trica, e
elevado ponto de fus{\~a}o. O diamante sint{\'e}tico, no
entanto, pode ter varia{\c{c}}{\~o}es em seu comportamento
estrutural de acordo com as necessidades requeridas, podendo
obt{\^e}-lo com propriedades diferentes e/ou melhores do que as
do diamante natural. Uma das propriedades que podem ser adquiridas
{\'e} a capacidade de conduzir corrente el{\'e}trica
atrav{\'e}s deste material. A possibilidade de dopar o diamante e
ent{\~a}o alterar sua caracter{\'{\i}}stica de um material
isolante para um material semicondutor abre um amplo caminho para
aplica{\c{c}}{\~o}es no que tange {\`a} eletroqu{\'{\i}}mica.
Por outro lado, o tit{\^a}nio foi utilizado como substrato de
grande {\'a}rea por ser um elemento de transi{\c{c}}{\~a}o com
excelentes propriedades f{\'{\i}}sico-qu{\'{\i}}micas como,
baixa massa espec{\'{\i}}fica, d{\'u}ctil, resist{\^e}ncia
{\`a} corros{\~a}o elevada, al{\'e}m de ser um material
economicamente vi{\'a}vel. O filme de diamante foi crescido em um
reator utilizando o m{\'e}todo HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor
Deposition), que consiste na forma{\c{c}}{\~a}o de um filme fino
e s{\'o}lido pela deposi{\c{c}}{\~a}o at{\^o}mica na
superf{\'{\i}}cie aquecida do tit{\^a}nio. Visando maior
uniformidade no sistema, o reator foi modificado, implantando-se a
ele um porta-amostras girat{\'o}rio. Atrav{\'e}s das
caracteriza{\c{c}}{\~o}es feitas por meio da espectroscopia de
espalhamento Raman e microscopia eletr{\^o}nica de varredura
(MEV), foi poss{\'{\i}}vel obter informa{\c{c}}{\~o}es
atinentes aos filmes, bem como avaliar a qualidade destes em
rela{\c{c}}{\~a}o ao crescimento de diamante cristalino e
tamb{\'e}m os diferentes n{\'{\i}}veis de dopagem
alcan{\c{c}}ados.",
conference-location = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
conference-year = "30-31 jul., 2014",
language = "pt",
ibi = "8JMKD3MGP5W34M/3GTNJBP",
url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP5W34M/3GTNJBP",
targetfile = "Gomes_utilizacao.pdf",
urlaccessdate = "03 jun. 2024"
}