@InProceedings{SouzaAzevFerr:2010:FiDiNa,
author = "Souza, Fernando Almeida de and Azevedo, Adriana Faria and
Ferreira, Neiden{\^e}i Gomes",
affiliation = "{Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)} and {Instituto
Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)} and {Instituto Nacional de
Pesquisas Espaciais (INPE)}",
title = "Filmes de diamante nanocristalinos dopados com boro",
booktitle = "Anais...",
year = "2010",
organization = "Workshop em Engenharia e Tecnologia Espaciais, 1. (WETE).",
publisher = "INPE",
address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
keywords = "materiais nanocristalinos, filmes de diamante, dopagens de filmes
com boro.",
abstract = "Este trabalho tem como objetivo obter um filme nanocristalino de
diamante dopado com boro e caracteriz{\'a}-lo quanto {\`a}
morfologia da superf{\'{\i}}cie e as propriedades
semicondutoras, para aplica{\c{c}}{\~o}es em sensores
eletroqu{\'{\i}}micos. O filme {\'e} crescido sobre um
substrato de sil{\'{\i}}cio, atrav{\'e}s do m{\'e}todo de
deposi{\c{c}}{\~a}o qu{\'{\i}}mica a partir da fase vapor,
ativado por filamento quente para a s{\'{\i}}ntese de filmes de
diamante a baixa press{\~a}o. O filme antes do crescimento passou
por um processo de ranhura da superf{\'{\i}}cie com diamante
particulado, onde fragmentos nanom{\'e}tricos deste alojam-se na
superf{\'{\i}}cie do sil{\'{\i}}cio. A mistura gasosa
padr{\~a}o utilizada em todos os experimentos foi: metano,
arg{\^o}nio e hidrog{\^e}nio. A espessura do filme de
nanodiamante obtido nas amostras foi proporcional ao tempo de
crescimento, e conforme maior foi esse tempo houve uma
diminui{\c{c}}{\~a}o dos aglomerados o que deixou a
superf{\'{\i}}cie mais plana. Todos os filmes apresentaram uma
superf{\'{\i}}cie hidrof{\'{\i}}lica. Aglomerados de
nanocristais, que apresentam maior quantidade de
liga{\c{c}}{\~o}es spē no contorno dos gr{\~a}os e que
favorecem as caracter{\'{\i}}sticas semicondutoras, foram
obtidos nos filmes crescidos por 6 horas. Segundo a literatura, a
dopagem destes filmes ainda est{\'a} muito baixa, assim, o uso de
uma maior concentra{\c{c}}{\~a}o do dopante boro ir{\'a}
garantir uma melhora no comportamento semicondutor destes
filmes.",
conference-location = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
conference-year = "30 mar. - 1 abr. 2010",
issn = "2177-3114",
language = "en",
ibi = "8JMKD3MGP7W/38UKN6S",
url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP7W/38UKN6S",
targetfile = "CSE_ssme_1065-eng.pdf",
volume = "IWETE2010-1057",
urlaccessdate = "27 jun. 2024"
}