@TechReport{SilvaBern:2021:EsSiPo,
               author = "Silva, Marian Ferreira Baptista da and Berni, Luiz {\^A}ngelo",
                title = "Estudo do sil{\'{\i}}cio poroso com nanotubos de carbono como 
                         absorvedor de radia{\c{c}}{\~a}o solar",
          institution = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais",
                 year = "2021",
                 type = "RPQ",
              address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
                 note = "{Bolsa PIBIC/INPE/CNPq.}",
             keywords = "sil{\'{\i}}cio poroso, absorvedor, radia{\c{c}}{\~a}o solar.",
             abstract = "Este trabalho de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica tem 
                         como objetivo verificar a viabilidade de utilizar o 
                         sil{\'{\i}}cio poroso (SiP) com filme de nanotubos de carbono 
                         (CNT) como absorvedor de radia{\c{c}}{\~a}o solar para uso 
                         terrestre ou espacial, estudando as caracter{\'{\i}}sticas 
                         {\'o}pticas e estruturais do SiP mono e multicamadas com CNT 
                         depositados. Dando continuidade {\`a} pesquisa com SiP, iniciada 
                         em 1999 pelo Grupo de Dispositivos Fotovoltaicos (GDF) da 
                         Coordena{\c{c}}{\~a}o de Pesquisa Aplicada e Desenvolvimento 
                         Tecnol{\'o}gico (COPDT), o trabalho atual trata da 
                         obten{\c{c}}{\~a}o do SiP mono e multicamada pelo ataque 
                         eletroqu{\'{\i}}mico de l{\^a}minas de Si com dopagem do tipo-p 
                         (SiP-p) e do tipo-n (SiP-n), ambas de baixa resistividade (0,01 - 
                         0,02 \Ω/cm) e espessura de 500 \μm. Os trabalhados 
                         anteriores concentraram-se na obten{\c{c}}{\~a}o do SiP-p com 
                         diferentes morfologias, tamanho de poros, espessura da camada e 
                         {\'{\i}}ndice de refra{\c{c}}{\~a}o. O trabalho atual 
                         concentra-se no estudo do SiP-n. Inicialmente foi realizada uma 
                         varredura dos par{\^a}metros de ataque eletroqu{\'{\i}}mico 
                         (tempo e densidade de corrente) e foi verificada a influ{\^e}ncia 
                         da ilumina{\c{c}}{\~a}o na obten{\c{c}}{\~a}o das amostras. As 
                         amostras foram analisadas atrav{\'e}s de MEV/FEG, 
                         espectrofot{\^o}metro (250 a 850 nm) e sonda de reflet{\^a}ncia 
                         (350 a 1700 nm). Posteriormente, amostras de SiP-p e SiP-n 
                         ser{\~a}o utilizadas para a crescimento de CNT pela t{\'e}cnica 
                         de CVD (Chemical Vapor Deposition) para definir o melhor conjunto 
                         SiP/CNT para aplica{\c{c}}{\~a}o como absorvedor de 
                         radia{\c{c}}{\~a}o solar. Neste trabalho vamos detalhar a 
                         fabrica{\c{c}}{\~a}o do SiP tipo n e comparar os resultados 
                         obtidos com as amostras do tipo p.",
          affiliation = "{Universidade Federal de S{\~a}o Paulo (UNIFESP)} and {Instituto 
                         Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)}",
             language = "pt",
                pages = "20",
                  ibi = "8JMKD3MGP3W34T/458GHDP",
                  url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34T/458GHDP",
           targetfile = "
                         
                         Relatorio_Final_PIBIC_2020_2021_Marian_Ferreira_Baptista_da_Silva.pdf",
        urlaccessdate = "31 maio 2024"
}