@InProceedings{DiasUeda:2001:ImNiLi,
               author = "Dias, Fabio Garcia and Ueda, M{\'a}rio",
          affiliation = "{Instituto Tecnol{\'o}gico de Aeron{\'a}utica (ITA)} and 
                         Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laborat{\'o}rio 
                         Associado de Plasma (INPE.LAP)",
                title = "Implanta{\c{c}}{\~a}o de nitrogenio em liga de AL5052 por 
                         imers{\~a}o em plasma",
                 year = "2001",
                pages = "19",
         organization = "Semin{\'a}rio de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica do 
                         INPE (SICINPE).",
                 note = "{Bolsa PIBIC/INPE/CNPq}",
             keywords = "PLASMA, Nitrogenio, Imers{\~a}o em plasma, Alum{\'{\i}}nio, 
                         Implanta{\c{c}}{\~a}o i{\^o}nica por imers{\~a}o em plasma, 
                         Nitrogen, Aluminun, Plasmar immersion, Plasma immersion ion 
                         implantation.",
             abstract = "O alum{\'{\i}}nio {\'e} o metal n{\~a}o-ferroso com a mais 
                         ampla aplica{\c{c}}{\~a}o industrial, atualmente. V{\'a}rios 
                         tipos de ligas de alum{\'{\i}}nio t{\^e}m sido desenvolvidos 
                         para utiliza{\c{c}}{\~o}es em diversos ramos de engenharia 
                         incluindo, aeron{\'a}utica, eletr{\^o}nica, processamento de 
                         alimentos, automotiva, etc. O Al5052 (ASTM B211) {\'e} uma liga 
                         de Al com resist{\^e}ncia m{\'e}dia, boa propriedade de fadiga e 
                         {\'e} comumente usada em montagens de ilumina{\c{c}}{\~a}o 
                         p{\'u}blica e constru{\c{c}}{\~o}es navais. A liga Al5052 
                         cont{\^e}m uma composi{\c{c}}{\~a}o nominal de 2% Mg, 0,5% Cr. 
                         97% Al e possui uma temperatura de fus{\~a}o de 625ºC. Amostras 
                         feitas de Al5052 com um di{\^a}metro de 1 cm e espessura de 3mm 
                         foram polidas com um acabamento de espelho e limpas quimicamente. 
                         Elas foram implantadas com nitrog{\^e}nio pela t{\'e}cnica de 
                         implanta{\c{c}}{\~a}o i{\^o}nica por imers{\~a}o em plasma 
                         (IIIP), operando-se o plasma e o pulsador de alta voltagem em 
                         diferentes condi{\c{c}}{\~o}es, para se entender o processo 
                         b{\'a}sico da implanta{\c{c}}{\~a}o tridimensional e 
                         nitreta{\c{c}}{\~a}o. Em alguns casos, as superf{\'{\i}}cies 
                         das amostras foram limpas por sputtering de Ar, antes do 
                         tratamento IIIP. A seguir apresentamos os resultados obtidos neste 
                         experimento. Quando o potencial de flutua{\c{c}}{\~a}o do plasma 
                         na descarga DC luminescente era alta (>100V) e o tempo de 
                         irradia{\c{c}}{\~a}o dos {\'{\i}}ons longa (tipicamente mais 
                         longo que 1000min, quando a amostra era pulsada a 20 Hz), uma dose 
                         retida (DR) baixa de <5x10 16 cm-2 foi obtida, a qual foi 
                         determinada por EEA (Espectroscopia de El{\'e}trons Auger). A 
                         energia de implanta{\c{c}}{\~a}o usada neste caso foi de 12 keV 
                         e a percentagem at{\^o}mica de pico obtida foi de 20% Sputtering 
                         da superf{\'{\i}}cie da amostra pelo plasma agindo durante o 
                         per{\'{\i}}odo de pulso - desligado era a maior causa de tais 
                         limites em dose retida. Mesmo quando o potencial de plasma foi 
                         reduzido a menos que 100V, a DR n{\~a}o foi significativamente 
                         aumentada para processamento IIIP a 12 KeV, com par{\^a}metros de 
                         implanta{\c{c}}{\~a}o de 1000 min e 20Hz. Este resultado foi 
                         interpretado como um problema de oxida{\c{c}}{\~a}o r{\'a}pida 
                         da superf{\'{\i}}cie da amostra durante o processamento IIIP no 
                         nosso dispositivo, devido a uma grande quantidade de oxig{\^e}nio 
                         residual na c{\^a}mara e a sua f{\'a}cil incorpora{\c{c}}ao na 
                         amostra. Diminuindo dramaticamente o tempo de processamento para 
                         60 min, com a repeti{\c{c}}{\~a}o de pulso para 670 Hz, a DR 
                         obtida foi maior que 1 x 10 17 cm-2. A nanoindenta{\c{c}}{\~a}o 
                         de amostras possuindo DR de tais n{\'{\i}}veis mostrou um leve 
                         aumento na dureza superficial. Mais importante foi o aumento do 
                         m{\'o}dulo da elasticidade em tal amostra que foi maior que 50%, 
                         ap{\'o}s a implanta{\c{c}}{\~a}o de nitrog{\^e}nio por IIIP. 
                         Uma segrega{\c{c}}{\~a}o de Mg aumentada por efeitos de 
                         radia{\c{c}}{\~a}o foi observada em amostra de Al5052 implantada 
                         com nitrog{\^e}nio, em condi{\c{c}}{\~o}es descritas acima. 
                         Tratamentos IIIP com energias maiores (cerca de 20 keV) est{\'a} 
                         sendo testada para implanta{\c{c}}{\~a}o de {\'{\i}}ons de 
                         nitrog{\^e}nio atrav{\'e}s da camada de {\'o}xido e desta forma 
                         resultar no aumento da dose retida e consequentemente na melhora 
                         das propriedades superficiais das ligas de alum{\'{\i}}nio.",
  conference-location = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
      conference-year = "7-9 ago.",
           copyholder = "SID/SCD",
                label = "self-archiving-INPE-MCTIC-GOV-BR",
             language = "pt",
           targetfile = "Dias_implantacao.pdf",
        urlaccessdate = "11 maio 2024"
}