@InProceedings{RaimundiRossRang:2018:GeRF20,
author = "Raimundi, L. R. and Rossi, Jos{\'e} Osvaldo and Rangel, Elizete
Gon{\c{c}}alves Lopes",
affiliation = "{Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)} and {} and
{Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)}",
title = "Gera{\c{c}}{\~a}o de RF em 200 MHz baseada em Linhas de
Transmiss{\~a}o N{\~a}o Lineares (LTNLs) com diodos Schottky de
carbeto de sil{\'{\i}}cio",
booktitle = "Anais...",
year = "2018",
editor = "Santos, Walter Abrah{\~a}o dos and Rodrigues, Italo Pinto and
Lima, Jeanne Samara dos Santos and Rodrigues, Aline Castilho and
Mateus, Dairo Antonio Cuellar and Moreira, Herbi J{\'u}nior
Pereira and Barbosa, ivan M{\'a}rcio and Ten{\'o}rio,
Pl{\'{\i}}nio Ivo Gama and Toledo, Rafael Cardoso and Pereira,
Yuri Matheus Dias",
organization = "Workshop em Engenharia e Tecnologia Espaciais, 9. (WETE)",
publisher = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)",
address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
keywords = "Linhas de transmiss{\~a}o n{\~a}o lineares (LTNLs),
Gera{\c{c}}{\~a}o de RF, Carbeto de sil{\'{\i}}cio, Diodos
schottky.",
abstract = "Linhas de transmiss{\~a}o n{\~a}o lineares (LTNLs) t{\^e}m sido
usadas com grande sucesso para a gera{\c{c}}{\~a}o de
radiofrequ{\^e}ncia (RF) de alta pot{\^e}ncia. Geralmente, sua
opera{\c{c}}{\~a}o consiste em uma linha concentrada baseada no
comportamento n{\~a}o linear dos componentes da se{\c{c}}{\~a}o
LC, capacitores ou indutores, em fun{\c{c}}{\~a}o da tens{\~a}o
ou corrente aplicada, respectivamente. Entretanto, considerando
sinais de alta pot{\^e}ncia, o emprego de capacitores
cer{\^a}micos em linhas capacitivas concentradas {\'e} restrito
a frequ{\^e}ncias em torno de 80 MHz, devido {\`a}
limita{\c{c}}{\~a}o do valor m{\'{\i}}nimo de
capacit{\^a}ncia apresentado por estes componentes. Por outro
lado, a utiliza{\c{c}}{\~a}o de diodos de capacit{\^a}ncia
vari{\'a}vel de baixa tens{\~a}o tem permitido a
opera{\c{c}}{\~a}o de LTNLs em frequ{\^e}ncias mais altas (250
MHz). Al{\'e}m disso, com o advento dos diodos Schottky de
carbeto de sil{\'{\i}}cio (SiC) de alta tens{\~a}o, espera-se
que as LTNLs possam operar com maior pot{\^e}ncia e em mais altas
frequ{\^e}ncias. Este trabalho apresenta a constru{\c{c}}{\~a}o
de uma LTNL baseada em diodos Schottky de SiC para gerar RF em
alta frequ{\^e}ncia. Seu princ{\'{\i}}pio de funcionamento
{\'e} apresentado, onde a depend{\^e}ncia de tens{\~a}o da
capacit{\^a}ncia do diodo {\'e} modelada. Os resultados
experimentais e de simula{\c{c}}{\~a}o s{\~a}o comparados e
discutidos. Oscila{\c{c}}{\~o}es na frequ{\^e}ncia de
aproximadamente 200 MHz foram obtidas.",
conference-location = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
conference-year = "15-16 ago. 2018",
issn = "2177-3114",
language = "pt",
organisation = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)",
ibi = "8JMKD3MGPDW34R/3S2EGLH",
url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGPDW34R/3S2EGLH",
targetfile = "2 - [ARTIGO] Lucas dos Reis Raimundi.pdf",
type = "Engenharia e Gerenciamento de Sistemas Espaciais",
urlaccessdate = "20 abr. 2024"
}