%0 Conference Proceedings
%4 sid.inpe.br/mtc-m16d/2018/10.11.17.47
%2 sid.inpe.br/mtc-m16d/2018/10.11.17.47.12
%@issn 2177-3114
%T Deposição de filmes de diamante policristalino CVD usando MPACVD
%D 2018
%A Sierra, Gomez Javier,
%A Corat, Evaldo José,
%A Trava-Airoldi, Vladimir Jesus,
%@electronicmailaddress javiersierra25@gmail.com
%@electronicmailaddress evaldo.corat@inpe.br
%@electronicmailaddress vladimir.airoldi@inpe.br
%E Santos, Walter Abrahão dos,
%E Rodrigues, Italo Pinto,
%E Lima, Jeanne Samara dos Santos,
%E Rodrigues, Aline Castilho,
%E Mateus, Dairo Antonio Cuellar,
%E Moreira, Herbi Júnior Pereira,
%E Barbosa, ivan Márcio,
%E Tenório, Plínio Ivo Gama,
%E Toledo, Rafael Cardoso,
%E Pereira, Yuri Matheus Dias,
%B Workshop em Engenharia e Tecnologia Espaciais, 9 (WETE)
%C São José dos Campos
%8 15-16 ago. 2018
%I Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%J São José dos Campos
%S Anais
%1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%K Diamante CVD, MPACVD, Filmes finos e espessos, Plasma.
%X O propósito deste trabalho foi o de levantar alguns parâmetros importantes para estudos de crescimento de diamante, grau monocristalino, para aplicações espaciais, nas áreas de microeletrônica e óptica. Filmes de diamante policristalino foram depositados pela técnica MPACVD (do inglês Microwave Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício e nióbio utilizando dois arranjos de porta-amostra. Uma fonte de potência de 6kW e um gerador de microondas de 2.45 GHz foram usados para ativar uma mistura gasosa de hidrogênio e metano na proporção 2% de CH4/H2. Usou-se potência de entrada entre 2.4 3.6 kW, temperatura de deposição 815 °C-1128 °C, 211 Torr de pressão durante 7h de crescimento. O controle da temperatura é feito com um pirômetro ótico de alta resolução de duas cores no faixa de 390 °C a 1300 °C. Os filmes obtidos foram caracterizados por microscopia eletrônica de varredura (FEG-MEV) e espectroscopia Raman.
%9 Ciência e Tecnologia de Materiais e Controle
%@language pt
%3 30 - [Artigo] JAVIER SIERRA GÓMEZ.pdf