@InProceedings{SilvaRoss:2015:InMoFo,
               author = "Silva, Elias Oliveira Paulo da and Rossi, Jos{\'e} Osvaldo",
          affiliation = "{Universidade Paulista (UNIP)} and {Instituto Nacional de 
                         Pesquisas Espaciais (INPE)}",
                title = "Integra{\c{c}}{\~a}o e montagem de uma fonte moduladora de pulso 
                         de 10KV/5 A/10 µS a partir de um prot{\'o}tipo experimental",
                 year = "2015",
         organization = "Semin{\'a}rio de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica e 
                         Inicia{\c{c}}{\~a}o em Desenvolvimento Tecnol{\'o}gico e 
                         Inova{\c{c}}{\~a}o",
            publisher = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais",
              address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos, SP",
             abstract = "O objetivo do projeto {\'e} o desenvolvimento de um pulsador 
                         compacto com tens{\~o}es de sa{\'{\i}}da de 10 kV, empregando 
                         um n{\'u}cleo magn{\'e}tico de liga met{\'a}lica (Metglas), o 
                         qual possui um valor alto de satura{\c{c}}{\~a}o de 
                         indu{\c{c}}{\~a}o magn{\'e}tica (1,5 T). Uma t{\'e}cnica de 
                         tratamento, chamada de implanta{\c{c}}{\~a}o i{\^o}nica, para 
                         melhorar a resist{\^e}ncia {\`a} corros{\~a}o e aumentar a 
                         dureza de materiais aeroespaciais, foi o motivo do in{\'{\i}}cio 
                         do projeto em 2006 a qual utiliza pulsos de alta tens{\~a}o de 
                         v{\'a}rios kV. No LAP/INPE, est{\'a} sendo utilizada uma fonte 
                         de 4 KV/2 A constru{\'{\i}}da em 2006, que consiste num 
                         modulador compacto composto por um conversor DC acionado por uma 
                         chave semicondutora IGBT com tr{\^e}s transformadores de pulso 
                         com n{\'u}cleo de ferrita ligados em s{\'e}rie, o que eleva o 
                         tempo de subida para mais de 3µs, causado pela liga{\c{c}}{\~a}o 
                         paralela/s{\'e}rie dos enrolamentos prim{\'a}rios e 
                         secund{\'a}rios. Portanto, um dos principais objetivos do 
                         projeto, a partir 2012, foi o de desenvolver uma novo pulsador 
                         similar com apenas um transformador de pulso com n{\'u}cleo de 
                         ferrita, que pudesse alcan{\c{c}}ar 10 kV com tempo de subida de 
                         pulso menor do que 1µs, baseado nesta fonte de 4 kV/2A. Contudo, o 
                         n{\'u}cleo de ferrita apresenta um baixo valor de 
                         satura{\c{c}}{\~a}o de indu{\c{c}}{\~a}o magn{\'e}tica (0,3 
                         T), limitando a tens{\~a}o m{\'a}xima obtida em 5 kV. Deste 
                         modo, o programa de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica 
                         iniciado em agosto/2014 teve como objetivo principal o 
                         aprimoramento do projeto, utilizando um novo n{\'u}cleo de 
                         Metglas com alto valor de indu{\c{c}}{\~a}o magn{\'e}tica e 
                         menor n{\'u}mero de espiras no secund{\'a}rio para a 
                         diminui{\c{c}}{\~a}o da indut{\^a}ncia de dispers{\~a}o e, 
                         consequentemente, redu{\c{c}}{\~a}o do tempo de subida de pulso. 
                         Entretanto, no momento o fator limitante para se atingir 10 kV 
                         usando o n{\'u}cleo parece residir no circuito de driver da chave 
                         semicondutora IGBT que limita a tens{\~a}o de sa{\'{\i}}da em 
                         4-5 kV novamente, elevando o tempo de subida de pulso para mais de 
                         4µs, aproximadamente, devida {\`a} alta corrente de porta da 
                         chave requerida. No presente trabalho, estamos desenvolvendo uma 
                         nova t{\'e}cnica de circuito de porta que permitir{\'a} que o 
                         dispositivo IGBT chaveie rapidamente com r{\'a}pidos tempos de 
                         subida de pulso, n{\~a}o limitando a tens{\~a}o de 
                         sa{\'{\i}}da, usando para isto um driver especial de 30 A.",
  conference-location = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos, SP",
      conference-year = "30-31 jul.",
             language = "pt",
                  ibi = "8JMKD3MGP3W34P/3K23NDE",
                  url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34P/3K23NDE",
        urlaccessdate = "16 abr. 2024"
}