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MORELHÃO, S. L.; KYCIA, S. W.; NETZKE, S.; FORNARI, C. I.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E. Dynamics of defects in van der Waals epitaxy of bismuth telluride topological insulators. Journal of Physical Chemistry C, v. 123, n. 40, p. 24818-24825, Oct. 2019. DOI: <10.1021/acs.jpcc.9b05377>. Disponível em: <http://doi.org/10.1021/acs.jpcc.9b05377>.
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... como proposto por Morelhão et al. (2019).
... pode ser encontrada na literatura (MORELHÃO et al., 2019).