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Data e hora local de busca: 26/04/2024 17:06.
1. Identificação
Tipo de ReferênciaTese ou Dissertação (Thesis)
Sitemtc-m16d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP7W/3FKG32E
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m19/2014/01.23.18.38
Última Atualização2014:05.20.17.45.56 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m19/2014/01.23.18.38.56
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.04.15.08 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-17348-TDI/2158
Chave de CitaçãoSilva:2014:FiDiUl
TítuloFilmes de diamante ultrananocristalinos dopados com boro crescidos sobre silício poroso
Título AlternativoBoron doped ultrananocrystalline diamond films grown on porous silicon
CursoCMS-ETES-SPG-INPE-MCTI-GOV-BR
Ano2014
Data2014-02-26
Data de Acesso26 abr. 2024
Tipo da TeseDissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores)
Tipo SecundárioTDI
Número de Páginas100
Número de Arquivos1
Tamanho3848 KiB
2. Contextualização
AutorSilva, Lilian Mieko da
GrupoCMS-ETES-SPG-INPE-MCTI-GOV-BR
BancaFerreira, Neidenei Gomes (presidente/orientadora)
Beloto, Antonio Fernando (orientador)
Baldan, Maurício Ribeiro
Azevedo, Adriana Faria
Endereço de e-Maillilian_mieko@yahoo.com.br
UniversidadeInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2014-01-23 18:40:00 :: lilian_mieko@yahoo.com.br -> yolanda ::
2014-02-10 15:28:27 :: yolanda -> administrator ::
2014-03-01 07:57:29 :: administrator -> lilian_mieko@yahoo.com.br ::
2014-04-07 01:30:21 :: lilian_mieko@yahoo.com.br -> yolanda ::
2014-04-15 19:21:32 :: yolanda -> administrator ::
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2014-05-20 17:40:02 :: yolanda@sid.inpe.br -> yolanda ::
2014-05-20 17:56:31 :: yolanda -> tereza@sid.inpe.br ::
2014-05-20 18:47:56 :: tereza@sid.inpe.br :: -> 2014
2014-05-20 18:54:56 :: tereza@sid.inpe.br -> administrator :: 2014
2018-06-05 04:15:08 :: administrator -> :: 2014
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavesilício poroso
diamante ultrananocristalino dopado com boro
HFCVD
eletrodo poroso
aplicações eletroquímicas. porous silicon
boron doped ultrananocrystalline diamond
HFCVD
porous electrodes
electrochemical applications
ResumoOs resultados da obtenção e caracterização de um novo material compósito formado por filme de diamante ultrananocristalino dopado com boro BDUND (\emph{Boron doped ultrananocrystalline diamond}) sobre silício poroso (PS \emph{Porous silicon}) são apresentados e discutidos. A primeira parte da dissertação mostra o desafio em se obter amostras de silício poroso com porosidade controlada para deposição dos filmes de diamante. Além disso, é apresentado o estudo do controle dos parâmetros de crescimento do filme de diamante, para que os filmes preencham as cavidades dos poros, sem fechá-los, mantendo a morfologia dos mesmos, visando à formação de um eletrodo poroso com uma camada de diamante contínua e uniforme. Assim, a primeira etapa do trabalho consistiu no estudo dos parâmetros de ataque eletroquímico para formação do PS, variando-se as condições de iluminação, assim como a densidade de corrente e o tempo de ataque. Após caracterização morfológica e estrutural do PS, a morfologia mais adequada para deposição dos filmes de BDUND foi definida como sendo a dos substratos com tamanho de poro de 10 a 30 µm, com poros distribuídos uniformemente pela superfície. Os filmes foram, então, crescidos por deposição química via fase vapor assistida por filamento quente, utilizando uma mistura de argônio, hidrogênio e metano. Estudou-se a influência do tempo de crescimento, variando-se de 1 a 4h, assim como a influência de duas dopagens distintas, 2.000 e 20.000 ppm B/C em solução. As amostras foram caracterizadas por microscopia eletrônica de varredura, espectroscopia de espalhamento Raman e difratometria de raios-X. Os resultados mostraram que os filmes apresentaram morfologia e textura homogênea, preenchendo os poros uniformemente. A caracterização estrutural comprovou a presença de diamante nas amostras, assim como a presença de ligações do tipo $sp^{2}$, conforme esperado para filmes de BDUND. Os eletrodos porosos de maior dopagem mostraram-se mais apropriados para as caracterizações eletroquímicas de janela de potencial de trabalho e de reversibilidade em par redox. Essas amostras apresentaram elevada capacitância, como esperado para eletrodos porosos. Além disso, em solução de ferrocianeto de potássio, os eletrodos se mostraram reversíveis apenas para baixas velocidades de varredura. ABSTRACT: The results concerning the production and characterization of a new composite material consisting of boron doped ultrananocrystalline diamond (BDUND) film on porous silicon (PS) are presented and discussed. The first part of the dissertation shows the challenge in obtaining porous silicon with controlled porosity for diamond films deposition. Furthermore, the study of the diamond film growth parameters is presented, so that the films can fill the pore cavities without closing them, keeping their morphology, in order to obtain a porous electrode with a continuous and uniform diamond layer. Thus, the first step of the work consisted in studying the electrochemical etching parameters for the PS formation, varying lighting conditions as well as the current density and etching time. After PS morphological and structural characterization, the most suitable morphology for deposition of BDUND films was defined as the substrates with pore size from 10 to 30 µm, with pores uniformly distributed over the surface. The films were then grown by hot filament chemical vapor deposition, using a mixture of argon, hydrogen and methane. The influence of growth time was studied, varying from 1 to 4h, as well as the influence of two different doping levels, 2,000 and 20,000 ppm B/C in solution. The samples were characterized by scanning electron microscopy, Raman scattering spectroscopy and X-ray diffraction. The results showed that the films presented homogeneous morphology and texture, filling the pores uniformly. Structural characterization proved the presence of diamond in the samples, as well as the presence of $sp^{2}$ bonds, as expected for BDUND films. The higher doping porous electrodes were more suitable for the electrochemical characterization of the work potential window and the redox couple reversibility. These samples showed high capacitance, as expected for porous electrodes. In addition, in potassium ferrocyanide solution, the electrodes showed reversible behavior only at low scan rates.
ÁreaETES
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16_04_14/@4primeirasPaginas-5.pdf 17/04/2014 15:08 803.8 KiB 
16_04_14/Dissertação_Lilian_Final.docx 15/04/2014 22:50 4.0 MiB
16_04_14/Dissertação_Lilian_Final.pdf 15/04/2014 22:50 2.9 MiB
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4. Condições de acesso e uso
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Idiomapt
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lilian_mieko@yahoo.com.br
tereza@sid.inpe.br
yolanda.souza@mcti.gov.br
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Licença de Direitos Autoraisurlib.net/www/2012/11.12.15.10
Detentor dos Direitosoriginalauthor yes
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02.53
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3F358GL
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/10.14.21.39 1
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02
6. Notas
Campos Vaziosacademicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype copyholder creatorhistory descriptionlevel dissemination doi electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readpermission resumeid schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype

1. Identificação
Tipo de ReferênciaTese ou Dissertação (Thesis)
Sitemtc-m16c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP8W/354ETLP
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m18@80/2009/04.06.12.17
Última Atualização2023:06.02.12.08.55 (UTC) sergio
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m18@80/2009/04.06.12.17.09
Última Atualização dos Metadados2023:06.02.12.10.12 (UTC) sergio
Chave SecundáriaINPE-15741-TDI/1486
Chave de CitaçãoMiranda:2009:FiDiNa
TítuloFilmes de diamante nanocristalino infiltrados em substratos de silício poroso através das técnicas CVD/CVI
Título AlternativoNanocrystalline diamond films infiltrates in porous silicon substrate by CVD/CVI Processes
CursoCMS-SPG-INPE-MCT-BR
Ano2009
Data2009-03-12
Data de Acesso26 abr. 2024
Tipo da TeseTese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores)
Tipo SecundárioTDI
Número de Páginas189
Número de Arquivos590
Tamanho38236 KiB
2. Contextualização
AutorMiranda, Cláudia Renata Borges
GrupoCMS-SPG-INPE-MCT-BR
BancaBaldan, Maurício Ribeiro (presidente)
Ferreira, Neidenêi Gomes (orientador)
Beloto, Antonio Fernando (orientador)
Ueda, Mario
Rezende, Mirabel Cerqueira
Silva, Leide Lili Gonçalves da
Endereço de e-Mailviveca@sid.inpe.br
UniversidadeInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2009-04-06 12:17:09 :: claudia_las -> yolanda ::
2009-04-14 14:33:49 :: yolanda -> supervisor ::
2009-04-14 14:34:28 :: supervisor -> claudia_las ::
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2009-05-12 13:08:08 :: administrator -> yolanda ::
2009-05-18 13:54:27 :: yolanda -> jefferson ::
2009-06-17 15:28:35 :: jefferson -> administrator ::
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2009-08-18 12:30:04 :: camila -> viveca@sid.inpe.br ::
2009-12-08 14:00:40 :: viveca@sid.inpe.br -> administrator ::
2020-04-28 17:48:32 :: administrator -> simone :: 2009
2023-06-02 12:08:13 :: simone -> sergio :: 2009
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavediamante nanocristalino
silício poroso
filmes finos
deposição química a partir da fase vapor assistida por filamento quente (HFCVD)
infiltração química a partir da fase vapor assistida por filamento quente (HFCVI)
nanocrystalline diamond
porous silicon
thin films
hot filament chemical vapor deposition (HFCVD)
hot filament chemical vapor infiltration (HFCVI)
ResumoO crescimento de filmes de diamante nanocristalino (NCD - Nanocrystalline Diamond) obtido através da infiltração nos poros do silício poroso (PS - Porous Silicon) foi estudado utilizando microscopia eletrônica de alta resolução, difração de raios-x de alta resolução, espectroscopia de fotoelétrons de raios-x e espectroscopia de espalhamento Raman. Os filmes de NCD/PS resultaram em um material compósito, com grande potencial de aplicação eletroquímica, principalmente devida à sua grande área supercial ativa. Utilizando o processo de anodização com ácido fluorídrico e acetonitrila foram produzidas camadas de PS com poros em microescala, do tipo pirâmide invertida, adequados para a deposição e infiltração dos filmes NCD. Para otimizar o processo de crescimento o reator de deposição química a partir da fase vapor (HFCVD - Hot Filament Chemical Vapor Deposition) foi adaptado para um reator de infiltração química a partir da fase vapor (HFCVI - Hot Filament Chemical Vapor Infiltration). Este procedimento permitiu que os gases reagentes infiltrassem na estrutura porosa onde a nucleação é iniciada, seguida da coalescência e formação do filme tanto nas paredes como no fundo dos poros. Nesta configuração uma entrada adicional de CH4 foi posicionada próxima ao PS que permitiu mudar a posição do fluxo em relação à amostra e possibilitou a utilização do fluxo adicional exatamente abaixo da amostra ou acima desta, porém ambas as entradas foram abaixo dos filamentos. Este sistema permitiu ainda combinações na variação das concentrações de CH4 nas duas entradas no intervalo entre 0,5 e 1,0 vol %. Os filmes obtidos com entrada de gás acima da amostra apresentaram as melhores características de NCD em todo o intervalo de variação de metano estudado. Numa segunda configuração, para melhorar a infiltração do NCD no PS foi utilizado carbono vítreo reticulado (CVR) como fonte adicional de carbono. Nestes experimentos, enquanto o fluxo principal de metano variou entre 0 e 1,0 vol. %, foram utilizados CVR obtidos com três índices de grafitização diferentes, tratados termicamente em 1300, 1500 e 2000ºC. A amostra de PS foi posicionada sobre o CVR permitindo que o hidrogênio atômico atacasse a superfície do mesmo durante o processo de crescimento do filme, retirando desta estrutura o carbono que participa das reações de crescimento do NCD. Foi observada uma forte dependência no crescimento do filme em função do CVR utilizado, devido às variações das propriedades físico-químicas deste material com sua temperatura de obtenção. Particularmente, os filmes obtidos a partir do CRV 2000 e concentração de metano de 1,0 vol. % apresentaram a melhor morfologia com cobertura total das paredes e dos poros, seguindo a morfologia do substrato, cuja qualidade e cristalinidade foram confirmadas pelos espectros Raman e de raios-x, respectivamente. De maneira geral, as duas configurações utilizando fontes adicionais de carbono produziram com sucesso filmes de NCD infiltrados nos poros do Si com apenas 60 min de crescimento. ABSTRACT: The growth of nanocrystalline diamond films (NCD) on porous silicon (PS) substrate was studied using high resolution scanning electron microscopy, high resolution X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and Raman scattering spectroscopy. The NCD/PS films resulted in a composite material, with great potential for electrochemical application, mainly due to its high active surface area. The morphology of PS pores in microscale, which looks like an inverted pyramid, was produced in a suitable way for the deposition and infiltration of NCD films, from anodization process, using the solution of fluoridric acid dissolved in acetonitrile additive. To optimize the process a Hot Filament Chemical Vapor Deposition reactor was changed for a Hot Filament Chemical Vapor Infiltration reactor. This procedure allowed the infiltration of the reacting gases into the porous structure where the nucleation takes place, followed by the coalescence and the film formation into pore bottoms and walls. In this configuration an additional entrance of CH4 was located next to the PS substrate using two distinct positions. These positions concerned the NCD films obtained with the use of the additional flow accurately underneath of the sample or above it, nonetheless both entrance were located below the filaments. This system still allowed combinations in CH4 concentrations for the two entrances in the range between 0.5 and 1.0 vol %. The films produced using the above gas entrance, presented the best NCD characteristics, in the whole range of methane variation. In the second configuration, to improve the NCD infiltration in the PS substrate, a piece of reticulated vitreous carbon (RVC) was used as an additional carbon source. In these experiments, while the main methane flow varied between 0 and 1.0 vol. %, RVC produced at three different graphitization index, treated thermally at 1300, 1500 and 2000 ºC, were used as a second carbon source. The PS sample was placed in the center of RVC piece allowing the atomic hydrogen attack on its surface during the film growth, removing from its structure the necessary carbon to promote the reactions to form the NCD layer. The strong dependence in the film growth as a function of the RVC treated at different temperatures was observed, due to the physical-chemical property variations of this material with its graphitization index. Particularly, the films obtained from the RVC-2000 and 1.0 vol. % of methane concentration presented the best morphology with a continuous NCD film covering the pore wall and bottom following the substrate morphology, with high quality and crystallinity, confirmed from its Raman and X-ray spectra, respectively. In general, the two used configurations for additional carbon sources provided NCD film infiltration in PS substrate with success for only 60 min of growth time.
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Tese Doutoramento - Cláudia Renata- Bibl - 08-05-2009.pdf 18/05/2009 10:54 10.3 MiB
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TERMO DE DEPOSITO ASSINADO CLAUDIA RENATA BORGES MIRANDA doutorado.pdf 02/06/2023 09:08 257.4 KiB 
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URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP8W/354ETLP
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP8W/354ETLP
Idiomapt
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Grupo de Usuáriosadministrator
claudia_las
jefferson
sergio
viveca@sid.inpe.br
yolanda.souza@mcti.gov.br
Visibilidadeshown
Licença de Direitos Autoraisurlib.net/www/2012/11.12.15.10
Detentor da CópiaSID/SCD
Permissão de Leituraallow from all
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5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m18@80/2008/03.17.15.17.24
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3F358GL
DivulgaçãoNTRSNASA; BNDEPOSITOLEGAL.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m18@80/2008/03.17.15.17
6. Notas
Campos Vaziosacademicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype creatorhistory descriptionlevel doi electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)sergio
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaTese ou Dissertação (Thesis)
Sitemtc-m16b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnK2Y/TzzqG
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m17@80/2008/03.27.10.41
Última Atualização2018:06.27.12.21.25 (UTC) sergio
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m17@80/2008/03.27.10.41.48
Última Atualização dos Metadados2018:06.27.12.23.31 (UTC) sergio
Chave SecundáriaINPE-15255-TDI/1340
Chave de CitaçãoBraga:2008:PrApCo
TítuloFilmes de diamante-CVD sobre substrato de titânio puro poroso: uma proposta para aplicação como eletrodo
Título AlternativoCVD-diamond films on tridimentional porous pure titanium substrate: an electrode application proposal
CursoCMS-SPG-INPE-MCT-BR
Ano2008
Data Secundária20080609
Data2008-04-16
Data de Acesso26 abr. 2024
Tipo da TeseTese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores)
Tipo SecundárioTDI
Número de Páginas198
Número de Arquivos608
Tamanho34330 KiB
2. Contextualização
AutorBraga, Neila de Almeida
GrupoCMS-SPG-INPE-MCT-BR
BancaTrava-Airoldi, Vladimir Jesus (presidente)
Ferreira, Neidenêi Gomes (orientador)
Cairo, Carlos Alberto Alves (orientador)
Nono, Maria do Carmo de Andrade
Moura Neto, Carlos de
Henriques, Vinícius André Rodrigues
UniversidadeInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2008-03-27 10:41:48 :: neila@las.inpe.br -> yolanda ::
2008-03-28 16:59:05 :: yolanda -> neila@las.inpe.br ::
2008-05-28 14:32:03 :: neila@las.inpe.br -> yolanda ::
2008-05-28 14:38:18 :: yolanda -> neila@las.inpe.br ::
2008-05-28 14:43:57 :: neila@las.inpe.br -> banon ::
2008-05-28 18:54:34 :: banon -> neila@las.inpe.br ::
2008-06-09 23:58:56 :: neila@las.inpe.br -> yolanda ::
2008-07-02 17:22:32 :: yolanda -> jefferson ::
2008-10-09 19:00:04 :: jefferson -> administrator ::
2009-07-07 20:35:38 :: administrator -> jefferson ::
2009-07-09 15:32:48 :: jefferson -> administrator ::
2016-06-03 03:34:41 :: administrator -> marciana :: 2008
2018-06-01 12:41:17 :: marciana -> sergio :: 2008
2018-06-01 12:44:26 :: sergio -> administrator :: 2008
2018-06-05 03:30:37 :: administrator -> sergio :: 2008
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chaveengenharia e tecnologia espacial
titânio poroso
diamante-CVD
filmes finos
deposição química a partir da fase vapor assistida por filamento quente (HFCVD)
mecanismo de deposição
space technology and engineering
porous titanium
chemical vapor deposition diamond (CVD)
thin films
hot filament chemical vapor deposition (HFCVD)
deposition mechanism
ResumoUm novo material compósito formado pelo filme de diamante micro e/ou nanocristalino, crescido sobre substrato de titânio puro poroso, foi extensivamente estudado considerando suas propriedades morfológicas, estruturais e eletroquímicas. Os filmes foram depositados pela técnica de deposição química a partir da fase de vapor utilizando um reator de filamento quente, enquanto a metalurgia do pó mostrou ser a técnica mais adequada para a obtenção de substratos de titânio, principalmente devido ao requerido controle da porosidade do compacto e de suas propriedades mecânicas. O trabalho está apresentado considerando importantes etapas de obtenção e caracterização tanto do substrato como do próprio filme de diamante. Os compactos de titânio, os de filmes de diamante bem como suas interfaces, foram analisados por microscopia eletrônica de varredura, difração de raios X, espectroscopia de espalhamento Raman e Espectroscopia de raios X por dispersão de energia. Particularmente, esses eletrodos compósitos tridimensionais, formados por filmes microcristalinos dopados com boro ou filmes de nanodiamante, foram também caracterizados pela técnica de voltametria cíclica. Um estudo sistemático revelou que a hidrogenação do substrato foi um fator determinante na formação de rachaduras na matriz de titânio. Portanto, a importância no controle dos demais parâmetros de deposição: como pressão, temperatura de crescimento, distância do filamento e tempo de crescimento mostrou-se relevante para minimizar os efeitos negativos causados na matriz do titânio pelo hidrogênio atômico e/ou molecular presente na fase gasosa durante o crescimento do filme. Esses parâmetros experimentais adequados otimizaram a formação de filmes de diamante com recobrimento total do substrato em seus planos superficiais, nos mais profundos e nos contornos dos poros. Neste contexto, a caracterização da interface formada entre o filme e o substrato, permitiu identificar a formação das fases hidreto e carbeto de titânio, como as principais fases presentes nesta interface, bem como a forte dependência destas com a temperatura de crescimento e com a concentração de argônio na mistura utilizada no crescimento de filmes nanocristalinos, principalmente associada à evolução das fases TiC(111), TiC(200) e TiH2. ABSTRACT: A novel composite material formed from nanocrystalline and/or microcrystalline diamond films grown on pure porous titanium substrate was extensively studied taking into account their morphological, structural and electrochemical properties. The films were deposited by chemical vapor deposition technique, using a hot filament reactor, while the powder metallurgy showed to be the more suitable technique to obtain the titanium substrate, mainly due to the required control of the compact porosity and their mechanical properties. This work is presented considering important stages to obtain and to characterize the substrates and diamond films. The titanium compacts, the diamond films as well as their interfaces were analyzed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, Raman scattering spectroscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy. Particularly, these tridimensional composite electrodes, formed from boron doped microcrystalline and nanodiamond films, were also characterized by cyclic voltammetry technique. A systematic study revealed that the substrate hydrogenation was the determinant factor in the fissure formations on the titanium matrix. Therefore, the importance to control the deposition parameters, such as pressure, growth temperature, filament distance, and growth time showed to be relevant to minimize the negative effects caused in titanium matrix by atomic or molecular hydrogen present in the gas phase during the film growth. These suitable experimental parameters optimized the diamond film formation covering the entire substrate in its surface and deeper planes as well as in its pore walls. In this sense, the interface characterization, formed between the film/substrate, allowed to identify the hydride and carbide phase formations, as the main phases present in this interface, in addition to their strong dependence with the growth temperature and with the argon concentration in the mixture used to grow nanocrystalline films, mainly associated to the TiC(111), TiC(200) e TiH2 phase evolutions.
ÁreaFISMAT
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Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta source
publicacao.pdf 27/06/2018 09:23 8.4 MiB
Conteúdo da Pasta agreement
LISTA PRODUCAOCIENTIFICA NEILA DE ALMEIDA BRAGA.docx 27/06/2018 09:21 10.7 KiB 
TERMO DE DEPOSITO ASSINADO NEILA DE ALMEIDA BRAGA DOUTORADO.pdf 27/06/2018 09:20 46.7 KiB 
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZGivnK2Y/TzzqG
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZGivnK2Y/TzzqG
Idiomapt
Arquivo Alvopublicacao.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
jefferson
neila@las.inpe.br
sergio
yolanda.souza@mcti.gov.br
Visibilidadeshown
Licença de Direitos Autoraisurlib.net/www/2012/11.12.15.10
Detentor da CópiaSID/SCD
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3F358GL
DivulgaçãoNTRSNASA; BNDEPOSITOLEGAL.
Acervo Hospedeirocptec.inpe.br/walmeida/2003/04.25.17.12
6. Notas
Campos Vaziosacademicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)sergio
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Evento (Conference Proceedings)
Sitemtc-m21d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34T/46QP3UL
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21d/2022/05.03.11.45
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21d/2022/05.03.11.45.41
Última Atualização dos Metadados2022:05.04.22.11.10 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
Chave de CitaçãoLeiteCoraTravFerr:1995:EsDeFi
TítuloEstudos de deposição de filmes finos de diamante em silício e quartzo de alta transparência óptica
Ano1995
Data de Acesso26 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE CN
2. Contextualização
Autor1 Leite, Nélia Ferreira
2 Corat, Evaldo José
3 Trava Airoldi, Vladimir Jesus
4 Ferreira, Neideneis Gomes
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
4 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Nome do EventoCongresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 16
Localização do EventoBrasília, DF
Data25-28 jul. 1995
Histórico (UTC)2022-05-03 11:45:41 :: simone -> administrator ::
2022-05-04 22:11:10 :: administrator -> simone :: 1995
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Estudos de deposição...
Conteúdo da Pasta docnão têm arquivos
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement
agreement.html 03/05/2022 08:45 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomapt
Grupo de Usuáriossimone
Visibilidadeshown
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2021/06.04.03.40.25
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2021/06.04.03.40
6. Notas
Campos Vaziosabstract archivingpolicy archivist booktitle callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor electronicmailaddress format isbn issn keywords label lineage mark nextedition notes numberoffiles numberofvolumes orcid organization pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project publisher publisheraddress readergroup readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle size sponsor subject targetfile tertiarymark tertiarytype type url volume
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Evento (Conference Proceedings)
Sitemtc-m21d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34T/46QP4H8
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21d/2022/05.03.11.52
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21d/2022/05.03.11.52.36
Última Atualização dos Metadados2022:05.04.22.11.10 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
Chave de CitaçãoSouzaLeCoTrFeVa:1995:EsPrDe
TítuloEstudos preliminares da dependência de stress do filme de diamante CVD em substratos de silício
Ano1995
Data de Acesso26 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE CN
2. Contextualização
Autor1 Souza, T. M.
2 Leite, Nélia Ferreira
3 Corat, Evaldo José
4 Trava Airoldi, Vladimir Jesus
5 Ferreira, Neidenei Gomes
6 Valera, Ticiane Sanches
Grupo1
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
4 LAS-INPE-MCT-BR
5 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Nome do EventoCongresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, 16
Localização do EventoBrasília, DF
Data25-28 jul. 1995
Histórico (UTC)2022-05-03 11:52:36 :: simone -> administrator ::
2022-05-04 22:11:10 :: administrator -> simone :: 1995
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
ÁreaFISMAT
Conteúdo da Pasta docnão têm arquivos
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement
agreement.html 03/05/2022 08:52 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomapt
Grupo de Usuáriossimone
Visibilidadeshown
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2021/06.04.03.40.25
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2021/06.04.03.40
6. Notas
Campos Vaziosabstract archivingpolicy archivist booktitle callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor electronicmailaddress format isbn issn keywords label lineage mark nextedition notes numberoffiles numberofvolumes orcid organization pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project publisher publisheraddress readergroup readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle size sponsor subject targetfile tertiarymark tertiarytype type url volume
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
atualizar