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1. Identificação
Tipo de ReferênciaTese ou Dissertação (Thesis)
Sitemtc-m16d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP7W/3FMP3NB
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m19/2014/02.06.16.18
Última Atualização2014:04.29.17.57.27 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m19/2014/02.06.16.18.09
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.04.15.11 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-17323-TDI/2134
Chave de CitaçãoAmaralJr:2014:PrSiPo
TítuloProdução de silício poroso por processo eletroquímico e estudos da evolução morfológica e do tamanho dos cristalitos
Título AlternativoProduction of porous silicon by electrochemical process and studies of morphological evolution and crystallite size
CursoCMS-ETES-SPG-INPE-MCTI-GOV-BR
Ano2014
Data2014-02-24
Data de Acesso26 abr. 2024
Tipo da TeseDissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores)
Tipo SecundárioTDI
Número de Páginas105
Número de Arquivos1
Tamanho3842 KiB
2. Contextualização
AutorAmaral Junior, Miguel Angelo do
GrupoCMS-ETES-SPG-INPE-MCTI-GOV-BR
BancaBaldan, Maurício Ribeiro (presidente/orientador)
Beloto, Antonio Fernando (orientador)
Ferreira, Neidenei Gomes
Corrêa, Washington Luiz Alves
Endereço de e-Mailmiguel.junior.mat@hotmail.com
UniversidadeInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2014-02-06 16:52:43 :: miguel.junior.mat@hotmail.com -> yolanda ::
2014-02-21 14:42:08 :: yolanda -> administrator ::
2014-03-01 07:57:29 :: administrator -> miguel.junior.mat@hotmail.com ::
2014-03-10 13:19:35 :: miguel.junior.mat@hotmail.com -> yolanda ::
2014-03-10 13:20:56 :: yolanda -> administrator ::
2014-04-14 14:58:36 :: administrator -> yolanda ::
2014-04-29 13:00:47 :: yolanda -> tereza@sid.inpe.br ::
2014-04-29 17:57:27 :: tereza@sid.inpe.br :: -> 2014
2014-04-29 18:02:30 :: tereza@sid.inpe.br -> administrator :: 2014
2018-06-05 04:15:11 :: administrator -> :: 2014
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavemodelo de confinamento de fônons
evolução morfológica
cristalitos
aplicações eletroquímicas
phonon confinement model
morphological evolution
crystallite
electrochemical apllications
ResumoO Silício Poroso é um material muito versátil, apresenta alta área superficial, propriedade de fotoluminescência no espectro visível e uma grande diversidade de tamanho e formato de poros. Normalmente pode ser facilmente obtido através de um ataque químico em meio a Ácido Fluorídrico (HF). Neste trabalho foi produzido pela técnica de ataque eletroquímico em uma solução contendo HF/ H$_{2}$O deionizada/ Etanol, nas seguintes proporções volumétricas (1:2:1). Utilizou-se laminas de Silício monocristalino tipo-n com orientação cristalográfica (100) e resistividade de 1-20 $\Omega$.cm. Este trabalho pode ser resumido em duas partes: (a) parte experimental; que envolve a obtenção do silício poroso em duas condições diferentes (tempo de ataque e densidade de corrente) e as técnicas de caracterização (Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Perfilometria Óptica e Espectroscopia Raman), e (b) parte teórica; aplica o modelo de confinamento de fônons para estimar o tamanho dos cristalitos. O principal objetivo é analisar a evolução morfológica da camada porosa, tamanho do poro, profundidade do ataque, área superficial, rugosidade e tamanho do cristalito, à medida que o tempo de ataque e a densidade de corrente variam. Foi desenvolvido um programa com interface gráfica para calcular o tamanho do cristalito nas duas condições diferentes de ataque. ABSTRACT: The Porous Silicon is a very versatile material with high surface area, property of photoluminescence in the visible spectrum and a wide range of pore shape and size. Usually the porous silicon can be easily obtained by chemical etching in an environment containing hydrofluoric acid (HF). In this work, porous silicon was produced by electrochemical etching technique in a solution containing HF/ deionized water / Ethanol. It was used silicon wafers monocrystalline n-type with crystallographic orientation (100) and resistivity of 1-20 $\Omega$.cm. This work can be summarized in two parts: (a) experimental part, which involves the porous silicon preparation in two different conditions (etching time and current density) and characterization techniques (Scanning Electron Microscopy (SEM), Raman Spectroscopy and Optical Profilometry), and (b) theoretical part, which apply the phonon confinement model to estimate the crystallite size. The main objective is to analyze the morphological evolution of the porous layer, pore size, depth, surface area, roughness and crystallite size, as a function of etching time and of current density. A program as developed with a graphical interface to calculate the size of the crystallites for the two different conditions.
ÁreaETES
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Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02.53
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3F358GL
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02
6. Notas
Campos Vaziosacademicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype copyholder creatorhistory descriptionlevel dissemination doi electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readpermission resumeid schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype