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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m21b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34P/3MQ9DPB
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21b/2016/11.14.11.30   (acesso restrito)
Última Atualização2016:11.14.11.30.34 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21b/2016/11.14.11.30.34
Última Atualização dos Metadados2018:06.04.02.41.17 (UTC) administrator
DOI10.1088/0268-1242/31/11/115008
ISSN0268-1242
Chave de CitaçãoSandovalSilvSilvLaRo:2016:ElFaAn
TítuloElectron g factor anisotropy in asymmetric III-V semiconductor quantum wells
Ano2016
MêsNov.
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo de Trabalhojournal article
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho693 KiB
2. Contextualização
Autor1 Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza
2 Silva, Erasmo Assumpção de Andrada
3 Silva, A. Ferreira da
4 La Rocca, G. C.
Grupo1 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
2 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Universidade Federal da Bahia (UFBA)
4 Scuola Normale Superiore and CNISM
Endereço de e-Mail do Autor1 marcelo.toloza@inpe.br
2 erasmo@las.inpe.br
RevistaSemiconductor Science and Technology
Volume31
Número11
Páginas115008
Nota SecundáriaA1_ENGENHARIAS_IV A2_MATERIAIS A2_INTERDISCIPLINAR A2_ENGENHARIAS_III B1_ENGENHARIAS_II B2_QUÍMICA B3_ASTRONOMIA_/_FÍSICA
Histórico (UTC)2016-11-14 11:30:34 :: simone -> administrator ::
2016-11-14 11:30:34 :: administrator -> simone :: 2016
2016-11-14 11:31:26 :: simone -> administrator :: 2016
2018-06-04 02:41:17 :: administrator -> simone :: 2016
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chaveelectron g factor
semiconductor quantum wells
spin-orbit interaction
ResumoThe electron effective g factor tensor in asymmetric III-V semiconductor quantum wells (AQWs) and its tuning with the structure parameters and composition are investigated with envelope-function theory and the 8 x 8k . p Kane model. The spin-dependent terms in the electron effective Hamiltonian in the presence of an external magnetic field are treated as a perturbation and the g factors g(perpendicular to)* and g(parallel to)*, for the magnetic field in the QW plane and along the growth direction, are obtained analytically as a function of the well width L. The effects of the structure inversion asymmetry (SIA) on the electron g factor are analyzed. For the g-factor main anisotropy Delta g = g(perpendicular to)*-g(parallel to)*. in AQWs, a sign change is predicted in the narrow well limit due to SIA, which can explain recent measurements and be useful in spintronic applications. Specific results for narrow-gap AlSb/InAs/GaSb and AlxGa1-xAsGaAs/AlyGa1-yAs AQWs are presented and discussed with the available experimental data; in particular InAs QWs are shown to not only present much larger g factors but also a larger g-factor anisotropy, and with the opposite sign with respect to GaAs QWs.
ÁreaFISMAT
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvosandoval_electron.pdf
Grupo de Usuáriossimone
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2011/03.29.20.55
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 1
DivulgaçãoWEBSCI; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn label lineage mark nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP7W/3DBMPM8
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m19/2013/01.08.17.34
Última Atualização2013:01.08.17.40.07 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m19/2013/01.08.17.34.50
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.04.13.44 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
DOI10.1103/PhysRevB.86.195302
ISSN1098-0121
Chave de CitaçãoSandovalSilvSilvRocc:2012:MeSpEf
TítuloMesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factor
Ano2012
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho428 KiB
2. Contextualização
Autor1 Sandoval, M. A. Toloza
2 Silva, A. Ferreira da
3 Silva, E. A. de Andrada e
4 Rocca, G. C. La
Grupo1
2
3 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
Afiliação1
2
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1
2
3 erasmo@las.inpe.br
Endereço de e-Mailmarcelo.pazos@inpe.br
RevistaPhysical Review B
Volume86
Número195302
Páginas195302 1-4
Histórico (UTC)2013-01-08 17:40:07 :: marcelo.pazos@sid.inpe.br -> administrator :: 2012
2018-06-05 04:13:44 :: administrator -> marcelo.pazos@inpe.br :: 2012
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
ResumoThe renormalization of the electron g factor by the confining potential in semiconductor nanostructures is considered. A new effective k · p Hamiltonian for the electronic states in IIIV semiconductor nanostructures in the presence of an external magnetic field is introduced. The mesoscopic spin-orbit (Rashba type) and Zeeman interactions are taken into account on an equal footing. It is then solved analytically for the electron effective g factor in symmetric quantum wells (g∗QW). Comparison with different spin quantum beat measurements in GaAs and InGaAs structures demonstrates the accuracy and utility of the theory. The quantum size effects in g∗QW are easily understood and its anisotropy g∗QW (i.e., the difference between the in-plane and perpendicular configurations) is shown to be given by a mesoscopic spin-orbit effect having the same origin as the Rashba one.
ÁreaFISMAT
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP7W/3DBMPM8
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP7W/3DBMPM8
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Grupo de Usuáriosadministrator
marcelo.pazos@inpe.br
Grupo de Leitoresadministrator
marcelo.pazos@inpe.br
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhoiconet.com.br/banon/2006/11.26.21.31
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel format isbn keywords label language lineage mark month nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
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