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1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	marte3.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3MST
Repositório	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.04.26 (acesso restrito)
Última Atualização	2006:02.23.13.17.00 (UTC) jefferson
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.04.26.15
Última Atualização dos Metadados	2018:06.06.03.55.52 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-13548-PRE/8761
ISSN	0093-3813
Rótulo	10662
Chave de Citação	BarrosoKost:2002:TrMo
Título	Triple-beam Monotron
Projeto	Projeto e construção de um gerador de microondas de alta potência com osciladores tipo monotron
Ano	2002
Data Secundária	20021010
Mês	June
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	487 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Barroso, Joaquim José 2 Kostov, K. G.
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasma (INPE.LAP) 2 Sofia University, Department of General Physics
Revista	IEEE Transactions on Plasma Science
Volume	30
Número	3
Páginas	520-527
Histórico (UTC)	2005-08-04 04:26:16 :: administrator -> jefferson :: 2006-02-23 13:17:30 :: jefferson -> administrator :: 2007-04-25 13:43:17 :: administrator -> jefferson :: 2008-01-15 18:01:33 :: jefferson -> administrator :: 2014-08-19 13:41:00 :: administrator -> jefferson :: 2002 2014-08-19 13:41:32 :: jefferson -> administrator :: 2002 2018-06-06 03:55:52 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Tipo de Versão	publisher
Palavras-Chave	PLASMA Microwave generator Monotron Tubes transit-time PLASMA Gerador de microondas
Resumo	AbstractWithout requiring an externally applied magnetic field, the triple-beam TM040, 6.7-GHz monotron devised in this paper includes a simple structure where the elementary functions of electron bunching and energy transfer to the RF field are performed in a single circular cylindrical cavity, which makes such a microwave generator a compact lightweight device. The cavity geometry (radius 8.42 cm, length 1.0 cm) and injection beam energy (10 keV) are determined on the basis of a one-dimensional (1-D) Lagrangian treatment neglecting space-charge forces. A 2 1/2-D particle-in-cell simulation is carried out for 0.4-cm-thick beams at currents in proportion to the beams cross section. This gives 560-kW output power at an overall tube efficiency of 14.8% in close agreement with 1-D theory.
Área	FISPLASMA
Arranjo	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Triple-beam Monotron
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4. Condições de acesso e uso
Idioma	en
Arquivo Alvo	14.pdf
Grupo de Usuários	administrator jefferson
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher allowfinaldraft
Permissão de Leitura	deny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualização	não transferida

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX; IEEEXplore.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	mtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZsFDuKxG/Cxjvk
Repositório	sid.inpe.br/marciana/2004/06.22.15.20 (acesso restrito)
Última Atualização	2008:04.01.12.50.41 (UTC) administrator
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/marciana/2004/06.22.15.20.43
Última Atualização dos Metadados	2018:06.05.01.20.53 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-10743-PRE/6202
ISBN/ISSN	0925-9635
ISSN	0925-9635
Chave de Citação	GonçalvesSandIha:2002:ChBoDo
Título	Characterization of boron doped CVD diamond films by Raman spectroscopy and X-ray diffractometry
Projeto	Tecnologia de plasma: Propulsão eletrostática
Ano	2002
Mês	Aug.
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	499 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Gonçalves, José Américo Neves 2 Sandonato, Gilberto Marrega 3 Iha, K.
Identificador de Curriculo	1 8JMKD3MGP5W/3C9JHFN 2 8JMKD3MGP5W/3C9JHBA
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR 2 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasma (INPE.LAP) 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasma (INPE.LAP) 3 Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Divisão de química (ITA)
Endereço de e-Mail do Autor	1 americo@plasma.inpe.br
Revista	Diamond and Related Materials
Volume	11
Número	8
Páginas	1578-1583
Histórico (UTC)	2005-03-17 17:56:35 :: marciana -> administrator :: 2006-09-28 22:25:48 :: administrator -> marciana :: 2008-04-01 12:50:41 :: marciana -> administrator :: 2018-06-05 01:20:53 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Palavras-Chave	PLASMA Diamond films X-ray diffractometry Raman spectroscopy Lattice parameter PLASMA Filmes de diamante Raio-x Difractometria Espectroscopia Raman
Resumo	Boron doped diamond films grown by chemical vapor deposition on silicon (1 1 1) were measured by Raman spectroscopy and X-ray diffractometry to investigate the crystallographic direction and the lattice parameters of both the bSiC and diamond films with different levels of dopant. It was observed that the level of dopant has a significant influence on the lattice parameters for a boronycarbon ratio of 20 000 ppm, and also that the expansion of the lattice parameters was due to compressive thermal stress of diamond films.
Área	FISPLASMA
Arranjo	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Characterization of boron...
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4. Condições de acesso e uso
Idioma	en
Arquivo Alvo	characterization.pdf
Grupo de Usuários	administrator marciana
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leitura	deny from all and allow from 150.163

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	marte3.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3NoN
Repositório	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.04.48
Última Atualização	2006:02.21.17.48.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.04.48.25
Última Atualização dos Metadados	2018:06.06.03.55.55 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-5027
ISSN	1070-664X
Rótulo	10686
Chave de Citação	GrishanovLudwAzevLeit:2002:WaDiEl
Título	Wave dissipation by electron landau damping in low aspect ratio tokamaks with eliptic magnetic surface
Projeto	Plasma de fusão
Ano	2002
Data Secundária	20021212
Mês	Sep
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	73 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Grishanov, N. J. 2 Ludwig, Gerson Otto 3 Azevedo, C. A. 4 Leite Neto, J. P.
Grupo	1 2 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Laboratório Nacional de Computação Científica 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais. Laboratório Associado de Plasma (INPE.LAP) 3 Universidade Estadual do Rio de Janeiro (UERJ) 4 Universidade Estadual do Rio de Janeiro (UERJ)
Revista	Physics of Plasmas
Volume	911
Número	92
Páginas	4089-4092
Histórico (UTC)	2005-08-04 04:48:26 :: administrator -> jefferson :: 2006-02-21 17:48:18 :: jefferson -> administrator :: 2007-05-15 13:23:11 :: administrator -> jefferson :: 2008-01-15 11:57:00 :: jefferson -> administrator :: 2018-06-06 03:55:55 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Palavras-Chave	PLASMA Wave dissipation Tokamaks Magnetic surfaces Landau damping PLASMA Dissipação de ondas Tokamaks Superfícies magnéticas
Resumo	Longitudinal dielectric permittivity elements are derived for radio-frequency waves in an axisymmetric tokamak with elliptic magnetic surfaces, for arbitrary elongation and inverse aspect ratio. A collisionless plasma model is considered. Drift-kinetic equation is solved separately for untrapped (passing or circulating) and three groups of the trapped particles as a boundary-value problem. Bounce resonances are taken into account. A coordinate system with the "straight" magnetic field lines is used. Permittivity elements, evaluated in the paper, are suitable to estimate the wave dissipation by electron Landau damping (e.g., during the plasma heating and current drive generation) in the frequency range of Alfven, fast magnetosonic, and lower hybrid waves, for both the large and low aspect ratio tokamaks. The dissipated wave power is expressed by the summation of terms including the imaginary parts of both the diagonal and nondiagonal elements of the longitudinal permittivity.
Área	FISPLASMA
Arranjo	Wave dissipation by...
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dados	http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3NoN
URL dos dados zipados	http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3NoN
Idioma	en
Arquivo Alvo	31.pdf
Grupo de Usuários	administrator jefferson
Visibilidade	shown
Política de Arquivamento	allowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leitura	allow from all

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	mtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZsFDuKxG/GL3FQ
Repositório	sid.inpe.br/marciana/2005/07.14.19.49
Última Atualização	2005:07.14.03.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/marciana/2005/07.14.19.49.48
Última Atualização dos Metadados	2018:06.05.01.21.36 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-12905-PRE/8192
ISSN	1539-3755
Chave de Citação	HoleDallSimpBosc:2002:PlInVa
Título	Plasma instability of a vacuum arc centrifuge
Projeto	Tecnologia de plasma: Separação de isótopos
Ano	2002
Mês	Apr.
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	345 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Hole, M. J. 2 Dallaqua, Renato Sérgio 3 Simpson, S. W. 4 Bosco, Edson Del
Identificador de Curriculo	1 2 8JMKD3MGP5W/3C9JJ5K 3 4 8JMKD3MGP5W/3C9JGUF
Grupo	1 2 LAP-INPE-MCT-BR 3 4 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 University of Sidney, School of Electrical and Information Engineering 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasmas, (INPE, LAP) 3 University of Sidney, School of Electrical and Information Engineering 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasmas, (INPE, LAP)
Revista	Physical Review E
Volume	65
Número	4
Páginas	art. 046409
Histórico (UTC)	2005-07-14 19:49:56 :: sergio -> administrator :: 2006-09-28 22:26:10 :: administrator -> sergio :: 2008-01-07 12:54:05 :: sergio -> marciana :: 2008-02-07 16:33:30 :: marciana -> administrator :: 2012-07-17 12:45:35 :: administrator -> banon :: 2012-09-27 18:00:18 :: banon -> administrator :: 2002 2018-06-05 01:21:36 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Palavras-Chave	PLASMA Vacuum Arc centrifuge Instability Isotope separation Magnetic field Rotation Performance Element Column Gas PLASMA Vácuo Centrífuga do arco Instabilidade Separação de isótopos Campos magnéticos Rotação Performance Elementos Coluna Gás
Resumo	Ever since conception of the vacuum arc centrifuge in 1980, periodic fluctuations in the ion saturation current and floating potential have been observed in Langmuir probe measurements in the rotation region of a vacuum arc centrifuge. In this work we develop a linearized theoretical model to describe a range of instabilities in the vacuum arc centrifuge plasma column, and then test the validity of the description through comparison with experiment. We conclude that the observed instability is a "universal" instability, driven by the density gradient, in a plasma with finite conductivity..
Área	FISPLASMA
Arranjo	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Plasma instability of...
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dados	http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/GL3FQ
URL dos dados zipados	http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/GL3FQ
Idioma	en
Arquivo Alvo	plasma instabiblity.pdf
Grupo de Usuários	administrator banon marciana sergio
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	allowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leitura	allow from all

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citando	sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.44.55 1 sid.inpe.br/bibdigital@80/2006/04.07.15.50.13 1 sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.58.56 1
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	mtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZ3r59YDa/KeFxp
Repositório	sid.inpe.br/iris@1916/2006/02.21.13.58
Última Atualização	2006:02.21.13.58.00 (UTC) marciana
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/iris@1916/2006/02.21.13.58.54
Última Atualização dos Metadados	2018:06.05.01.20.24 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-13545-PRE/8758
DOI	10.1063/1.1446876
ISSN	1070-664X
Chave de Citação	KostovBarr:2002:SpCuCy
Título	Space-charge-limited current in cylindrical diodes with finite-length emitter
Ano	2002
Mês	Mar
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo de Trabalho	journal article
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	50 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Kostov, K. G. 2 Barroso, Joaquim Jose
Grupo	1 2 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Sofia University 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor	1 2 barroso@plasma.inpe.br
Revista	Physics of Plasmas
Volume	9
Número	3
Páginas	1039-1042
Histórico (UTC)	2006-02-21 13:58:55 :: vinicius -> administrator :: 2014-02-25 05:37:21 :: administrator -> marciana :: 2002 2014-06-26 16:43:42 :: marciana -> administrator :: 2002 2018-06-05 01:20:24 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Tipo de Versão	publisher
Palavras-Chave	simulations Langmuir-Blodgett law plasma simulação Lei de Langmuir Blodget
Resumo	In the present paper we extend to two dimensions the classical Langmuir-Blodgett law, which determines the maximum current I-LB that can be accelerated by a given voltage across two infinitely long coaxial cylinders. Generalization of the I-LB law is established by performing two-dimensional 2D particle-in-cell numerical experiments on a variety of cylindrical diode configurations with a finite-length emitter. It is found that the limiting current in two dimensions I-2D follows a monotonically decreasing function of the emitter length-to-outer electrode radius ratio L/R as expressed by the fitting function I-2D/I-LB=1+0.1536/(L/R)+0.0183/(L/R)(2) within 2.5% accuracy for simulation data in which the ratio of the outer to inner radii exceeds 3.
Área	FISPLASMA
Arranjo	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Space-charge-limited current in...
Conteúdo da Pasta doc	acessar
Conteúdo da Pasta source	não têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement	não têm arquivos

4. Condições de acesso e uso
URL dos dados	http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZ3r59YDa/KeFxp
URL dos dados zipados	http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZ3r59YDa/KeFxp
Idioma	en
Arquivo Alvo	30.pdf
Grupo de Usuários	administrator marciana vinicius
Grupo de Leitores	administrator marciana
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	allowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leitura	allow from all
Permissão de Atualização	não transferida

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citando	sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.25.21.49 1
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	mtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZsFDuKxG/Cxhhs
Repositório	sid.inpe.br/marciana/2004/06.22.13.35 (acesso restrito)
Última Atualização	2014:06.25.16.28.24 (UTC) marciana
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/marciana/2004/06.22.13.35.22
Última Atualização dos Metadados	2021:03.04.02.28.22 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-10741-PRE/6200
ISBN/ISSN	0925-9635
ISSN	0925-9635
Chave de Citação	SilvaFraYokFerCor:2002:SyRaXr
Título	Synchrotron radiation X-ray analysis of boron-doped diamond films grown by hot-filament assisted chemical vapor deposition
Projeto	DIMARE: Diamante e materiais relacionados
Ano	2002
Mês	Feb
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo de Trabalho	journal article
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	147 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Silva, Leide Lili Gonçalves da 2 Franco, Margareth K. 3 Yokaichiya, Fabiano 4 Ferreira, Neidenei Gomes 5 Corat, Evaldo José
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR 2 3 4 LAS-INPE-MCT-BR 5 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS) 2 Laboratório Nacional de Luz Sincotron (LNLS) 3 Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor	1 leide@plasma.inpe.br 2 3 4 neidenei@las.inpe.br 5 corat@las.inpe.br
Revista	Diamond and Related Materials
Volume	11
Número	2
Páginas	153-159
Histórico (UTC)	2006-09-28 22:25:43 :: administrator -> marciana :: 2008-02-18 17:38:09 :: marciana -> administrator :: 2014-06-25 16:23:20 :: administrator -> marciana :: 2002 2014-06-25 16:28:25 :: marciana -> administrator :: 2002 2021-03-04 02:28:22 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Tipo de Versão	publisher
Palavras-Chave	materials physics boron-doped diamond synchrotron radiation X-ray diffraction diamante radiação difração de raio X
Resumo	This paper presents a synchrotron X-ray radiation analysis of boron-doped diamond films grown by hot-filament assisted chemical vapor deposition (HFCVD). The diamond films were grown at different doping levels with the introduction of boron to the gas mixture by bubbling hydrogen in a B2O3 solution in methanol. The B/C ratio in methanol varied from 2000 to 20 000 ppm and the gas flow rates were controlled so that boron incorporation to the film varied in the range from 10(18) to 10(21) boron/ cm(3). All other process parameters were kept unchanged to allow comparison only of the influence of the doping level. The film. analyses were performed at the X-ray diffraction beamline of the Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron - LNLS, Brazil. The Debye-Scherrer configuration was used in this study. A high intensity monochromatic beam at lambda = 1.46 A was used and an excellent signal to noise ratio was obtained for 2theta varying from 20degrees to 150degrees. The difractogram for the undoped diamond film show intense peaks from the (111), (220), (311), (400) and (331) crystallographic planes. For the boron-doped films a set of new diffraction lines appear and their intensities increase considerably with the doping level. The set of diffraction peaks of similar intensities are related to a hexagonal structure and were assigned with hi-h confidence to tungsten carbide. This reveals that the boron-doping process in HFCVD facilitates the incorporation of tungsten carbide from the filament in the diamond film. The FWHM analysis of the diamond diffraction peaks shows a dependence of film crystallinity with doping level with a definite maximum at approximately 2.3 X 10(19) boron/cm(3).
Área	FISMAT
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4. Condições de acesso e uso
Idioma	en
Arquivo Alvo	1-s2.0-S0925963501005738-main.pdf
Grupo de Usuários	administrator marciana
Grupo de Leitores	administrator marciana
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leitura	deny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualização	não transferida

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citando	sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.25.21.49 1
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
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1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	marte3.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3Lni
Repositório	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.13 (acesso restrito)
Última Atualização	2007:11.19.16.36.12 (UTC) administrator
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.13.18
Última Atualização dos Metadados	2018:06.06.03.55.45 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-14925-PRE/9838
ISSN	0963-0252 1361-6595
Rótulo	10531
Chave de Citação	TanUDRBAIT:2002:MaPlIm
Título	Magnesium plasma immersion ion implantation in a large straight magnetic duct
Ano	2002
Data Secundária	20021212
Mês	Aug.
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	201 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Tan, I. H. 2 Ueda, Mario 3 Dallaqua, Renato Sergio 4 Rossi, J. O. 5 Beloto, Antonio Fernando 6 Abramof, Eduardo 7 Inoue, Y. 8 Takai, O.
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR 2 LAS-INPE-MCT-BR
Revista	Plasma Sources Science and Technology
Volume	11
Número	3
Páginas	317-323
Histórico (UTC)	2006-11-14 18:52:47 :: administrator -> jefferson :: 2007-11-19 16:36:13 :: jefferson -> administrator :: 2018-06-06 03:55:45 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Palavras-Chave	FISICA E TECNOLOGIA DE MATERIAIS SURFACE MODIFICATION CENTRIFUGE
Resumo	Magnesium ions were implanted on silicon wafers using a vacuum arc plasma system with a straight 1m long magnetic duct, 0.22 m in diameter. Good macroparticle filtering was obtained in samples positioned facing the plasma stream and complete filtering was achieved in samples with surfaces parallel to the plasma stream and magnetic field. Deposition is also minimized by placing sample surfaces parallel to the plasma stream. High resolution x-ray diffraction rocking curves of impianted samples show that the changes in lattice constant are due to compressive strain. and the distortion is larger for higher voltages. Without magnetic field the implantation was a few hundred angstroms deep, as expected, but with magnetic field the depth profile was surprisingly extended to over 0.1 mum, a fact for which we do not yet have a convincing explanation, but could be related to radiation enhanced segregation. The presence of a magnetic field increases substantially the retained implantation dose due to the increase in plasma density by two orders of magnitude.
Área	FISMAT
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4. Condições de acesso e uso
Arquivo Alvo	magnesium plasma immersion ion, tan.pdf
Grupo de Usuários	administrator jefferson
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leitura	deny from all and allow from 150.163

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36

6. Notas
Campos Vazios	affiliation alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn language lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	mtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZ3r59YDa/KbLmU
Repositório	sid.inpe.br/iris@1916/2006/02.16.13.39 (acesso restrito)
Última Atualização	2006:02.16.13.39.00 (UTC) marciana
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/iris@1916/2006/02.16.13.39.08
Última Atualização dos Metadados	2018:06.05.01.20.24 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-13528-PRE/8741
ISSN	0257-8972
Chave de Citação	UedaBCBARBL:2002:RePr
Título	Surface improvements of industrial components treated by plasma immersion ion implantation (PIII): results and prospects
Ano	2002
Mês	July
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo de Trabalho	journal article
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	127 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Ueda, Mario 2 Berni, Luis Angelo 3 Castro, R. M. 4 Beloto, Antonio Fernando 5 Abramof, Eduardo 6 Rossi, José Oswaldo 7 Barroso, Joaquim Jose 8 Lepienski, C. M.
Identificador de Curriculo	1 8JMKD3MGP5W/3C9JHSB 2 3 4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJ8 5 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR 2 LAS-INPE-MCT-BR 3 4 LAS-INPE-MCT-BR 5 LAS-INPE-MCT-BR 6 LAP-INPE-MCT-BR 7 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 3 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 7 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 8 Universidade Federal de Paraná
Endereço de e-Mail do Autor	1 ueda@plasma.inpe.br 2 berni@las.inpe.br 3 4 beloto@las.inpe.br 5 eduardo.abramof@inpe.br 6 rossi@plasma.inpe.br 7 barroso@plasma.inpe.br
Revista	Surface and Coatings Technology
Volume	156
Número	1-3
Páginas	71-76
Histórico (UTC)	2006-02-16 13:39:08 :: vinicius -> administrator :: 2008-06-10 22:25:17 :: administrator -> vinicius :: 2011-05-20 20:55:34 :: vinicius -> administrator :: 2014-02-20 00:41:31 :: administrator -> marciana :: 2002 2014-06-25 13:32:52 :: marciana -> administrator :: 2002 2018-06-05 01:20:24 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Tipo de Versão	publisher
Palavras-Chave	plasma immersion ion implantation surface analysis nano-indentation titanium alloy fast steel high resolution X-ray
Resumo	The major drive for PIII research in recent years has been the widespread use of plasma-based ion implantation in industries aiming at attaining high value-added components. After achieving the domain of the complete basic PIII cycle, we started to pursue the implementation of this process in various types of industrial components. A DC glow discharge source with a controlled plasma floating potential was used in a 100-l PIII system driven by a 30-kV peak voltage, 50 ms duration, up to 1.1 kHz pulse power source, in order to process the components which were provided by regional companies, spanning from machinery tools to prosthesis. The industrial components were set-up in the PIII chamber as received from the companies, after a simple cleaning procedure. In this phase, only nitrogen implantation was performed. The required processing times were typically from 60 to 120 min and the components were treated either individually or in batches. Fast steel drill bits, knife blades for wood cutting, tools for odontological applications, molds made of fast steel, a prosthesis made of Ti alloy, etc., have been three-dimensionally implanted successfully. Next, improvements in the PIII ongoing system included: a 10-kW pulser with up to 60 kV capability, turbo-pump, refrigerated walls, auxiliary heating of the components, a larger chamber and a magnetron sputtering source for hybrid treatments.
Área	FISPLASMA
Arranjo 1	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Surface improvements of...
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4. Condições de acesso e uso
Idioma	en
Arquivo Alvo	64.pdf
Grupo de Usuários	administrator marciana vinicius
Grupo de Leitores	administrator marciana
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leitura	deny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualização	não transferida

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citando	sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.44.57 1
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	marte3.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZsFDuKxG/zbP6S
Repositório	sid.inpe.br/marciana/2003/08.18.09.46 (acesso restrito)
Última Atualização	2006:02.23.12.47.00 (UTC) marciana
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/marciana/2003/08.18.09.46.48
Última Atualização dos Metadados	2018:06.06.03.57.16 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-9886-PRE/5459
ISSN	0093-3813
Chave de Citação	UedaDaRoTaAbBeBo:2002:MePlIo
Título	Metal-arc plasma ion implantation in a straight magnetic filter
Ano	2002
Mês	Oct.
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	378 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Ueda, Mário 2 Dallaqua, Renato Sérgio 3 Rossi, José Oswaldo 4 Tan, Ing Hwie 5 Abramof, Eduardo 6 Beloto, Antonio Fernando 7 Bosco, Del
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Inst Nacl Pesquisas Espaciais, Lab Assoc Plasmas, BR-12227010 Sao Jose Dos Campos, SP, Brazil
Revista	IEEE Transactions on Plasma Science
Volume	30
Número	5
Páginas	1843-1847
Histórico (UTC)	2006-02-23 12:47:40 :: marciana -> administrator :: 2014-08-20 18:38:13 :: administrator -> marciana :: 2002 2014-08-20 18:38:42 :: marciana -> administrator :: 2002 2018-06-06 03:57:16 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Tipo de Versão	publisher
Palavras-Chave	ion implantation metal-arc plasma surface material treatment beans
Resumo	Ion implantation is a well-known technique used in surface treatment of materials. During the 1980s, ion implantation using a sample immersed in an ionized gaseous medium (known as plasma immersion ion implantation) revealed to be an alternative to the conventional ion beam implantation. Development of this nonconventional surface processing using metallic ion species increased significantly when metal vacuum arcs began to be used as ion sources. In this paper, we present the experimental results obtained on Si wafers used as test targets, using metallic arc ion implantation. High-density plasmas (up to 10(19) m(-3)) made of aluminum vacuum arcs were used for the metallic implantation process. Arc currents of 200-100 A and 16 ins duration were pulsed every 30 s, and samples were biased from 2 kV to 10 kV with 50 mus pulses at 700 Hz, using a hard tube pulser. A straight magnetic filter was used to clean the plasma from macroparticle contaminants, with complete filtering being achieved in samples oriented so that their surfaces were parallel to the plasma stream. This is an interesting alternative to 90degrees curved magnetic duct filters usually used for this purpose. High-resolution X-ray diffraction analysis shows that aluminum was successfully implanted.
Área	FISPLASMA
Arranjo	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Metal-arc plasma ion...
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4. Condições de acesso e uso
Idioma	en
Arquivo Alvo	15.pdf
Grupo de Usuários	administrator marciana
Grupo de Leitores	administrator marciana
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher allowfinaldraft
Permissão de Leitura	deny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualização	não transferida

5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores	8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citando	sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.25.21.49 2
Divulgação	WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX; IEEEXplore.
Acervo Hospedeiro	sid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36

6. Notas
Campos Vazios	alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url

7. Controle da descrição
e-Mail (login)	marciana
atualizar

1. Identificação
Tipo de Referência	Artigo em Revista Científica (Journal Article)
Site	marte3.sid.inpe.br
Código do Detentor	isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador	6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3LsU
Repositório	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.18 (acesso restrito)
Última Atualização	2006:01.26.15.29.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadados	sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.18.44
Última Atualização dos Metadados	2018:06.06.03.55.45 (UTC) administrator
Chave Secundária	INPE-13388-PRE/8603
ISSN	0257-8972
Rótulo	10542
Chave de Citação	UedaLepRanCruDia:2002:NaCoAn
Título	Nanohardness and contact angle of Si wafers implanted with N and C and Al alloy with N by plasma ion implantation
Ano	2002
Data Secundária	20020612
Mês	July
Data de Acesso	23 abr. 2024
Tipo Secundário	PRE PI
Número de Arquivos	1
Tamanho	100 KiB

2. Contextualização
Autor	1 Ueda, Mario 2 Lepienski, C. M. 3 Rangel, E. C. 4 Cruz, NC 5 Dias, F. G.
Grupo	1 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação	1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Laboratório de Física de Plasma (LAP)
Revista	Surface and Coatings Technology
Volume	156
Número	1-3
Páginas	190-194
Histórico (UTC)	2005-08-04 03:18:44 :: administrator -> jefferson :: 2006-01-26 15:33:07 :: jefferson -> administrator :: 2018-06-06 03:55:45 :: administrator -> marciana :: 2002

3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?	é a matriz
Estágio do Conteúdo	concluido
Transferível	1
Tipo do Conteúdo	External Contribution
Palavras-Chave	FISICA DE PLASMA Plasma immersion ion implantation Surface analysis Nanohardness Contact angle Silicon carbide Silicon nitride
Resumo	Surfaces of silicon wafers implanted with N and C, respectively, and aluminum 5052 implanted with N alone by plasma immersion ion implantation WHO were probed by a nanoindentor and analyzed by the contact-angle method to provide information on surface nanohardness and wettability. Silicon nitride and silicon carbide are important ceramic materials for microelectronics, especially for high-temperature applications. These compounds can be synthesized by high-dose ion implantation. The nanohardness of a silicon sample implanted with 12-keV nitrogen PIII (with 3 X 10(17)cm(-2)dose)increased by 10 percent compared to the unimplanted sample, in layers deeper than the regions where the formation of the Si,N, compound occurred. A factor of 2.5 increase in hardness was obtained for C-implanted Si wafer at 35 keV (with 6 X 10(17)cm(-2)dose), again deeper than the SiC-rich layer, Both compounds are in the amorphous state and their hardness is much lower than that of the crystalline compounds, which require an annealing process after ion implantation. In the same targets, the contact angle increased by 65 pecent and 35 percent for N- and C-implanted samples, respectively. Compared to the Si target, the nitrogen PIII-irradiated Al 5052 (wish 15 keV)showed negligible change in its hydrophobic character after ion implantation. Its near-surface nanohardness measurement showed a slight increase for doses of 1 X 10(17)cm(-2). We have been searching for an AlN layer of the order of 1000 A thick, using such a low-energy PIII process, but oxide formation during processing has precluded its synthesis for N- and C-implanted samples, respectively. Compared to the Si target, the nitrogen PIII-irradiated Al 5052 (wish 15 keV)showed negligible change in its hydrophobic character after ion implantation. Its near-surface nanohardness measurement showed a slight increase for doses of 1 X 10(17)cm(-2). We have been searching for an AlN layer of the order of 1000 A thick, using such a low-energy PIII process, but oxide formation during processing has precluded its synthesis.
Área	FISPLASMA
Arranjo	urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Nanohardness and contact...
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Conteúdo da Pasta source	não têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement	não têm arquivos

4. Condições de acesso e uso
Idioma	en
Arquivo Alvo	ueda.pdf
Grupo de Usuários	administrator jefferson
Visibilidade	shown
Detentor da Cópia	SID/SCD
Política de Arquivamento	denypublisher denyfinaldraft24
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6. Notas
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7. Controle da descrição
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