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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemarte3.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3Muf
Repositóriosid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.04.05.57   (acesso restrito)
Última Atualização2013:05.02.18.16.44 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.04.06
Última Atualização dos Metadados2018:06.06.03.55.51 (UTC) administrator
ISSN0103-9733
Rótulo10616
Chave de CitaçãoAraujoSilvAndr:2002:ReTuPo
TítuloResonant tunneling of polarized electrons through nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriers
Ano2002
Data Secundária20020612
MêsJune
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho161 KiB
2. Contextualização
Autor1 Araujo, C. Moysés
2 Silva, A. Ferreira da
3 Andrade e Silva, E. A.
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia
2 Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2A
Páginas321-323
Histórico (UTC)2013-03-13 20:46:39 :: administrator -> jefferson :: 2002
2013-05-02 18:16:44 :: jefferson -> administrator :: 2002
2018-06-06 03:55:51 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chavequantum transport
spin-polarized electrons
nonmagnetic III-V semiconductor
ResumoThe quantum transport of spin-polarized electrons across nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriers is considered theoretically. We have calculated the spin dependent transmission coefficient, for conducting electrons transversing lattice-matched In_0.53 Ga_0.47 As/GaAs_0.5 Sb_0.5/In_0.53 Ga_0.47 As/InP/In_0.53 Ga_0.07 As nanostructures with different numbers of asymmetric double barriers, as a function of electron energy and angle of incidence. Spin-orbit split resonances, due to the Rashba term, are observed. The envelope function approximation and the Kane k(.)p model for the bulk are used. For an unpolarized incident beam of electrons, we also obtain the spin polarization of the transmitted beam. The formation of spin dependent minibands of energy with nonzero transmission is observed.
ÁreaFISPLASMA
ArranjoResonant tunneling of...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
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jefferson
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Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
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Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarykey secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/Kbdqu
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2006/02.15.12.44   (acesso restrito)
Última Atualização2006:02.15.12.44.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2006/02.15.12.44.11
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.24 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13520-PRE/8733
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoAraujoSilvAndr:2002:ReTuPo
TítuloResonant Tunneling of Polarized Electrons Through Nonmagnetic III-V Semiconductor Multiple Barriers
ProjetoFisica da Matéria Condensada (MATCON)
Ano2002
MêsJune
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho161 KiB
2. Contextualização
Autor1 Araujo, C. Moysés
2 Silva, A. Ferreira da
3 Andrada e Silva, Erasmo Assumpção de
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade Federal da Bahia, Instituto de Física
2 Universidade Federal da Bahia, Instituto de Física
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2
Páginas321-323
Histórico (UTC)2006-02-15 12:44:12 :: vinicius -> administrator ::
2006-09-28 22:24:27 :: administrator -> vinicius ::
2008-02-07 17:47:21 :: vinicius -> administrator ::
2008-06-10 22:25:16 :: administrator -> vinicius ::
2011-05-25 05:01:53 :: vinicius -> administrator ::
2018-06-05 01:20:24 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Semiconductor
Barriers
Nonmagnetic
SENSORES E MATERIAIS
Semicondutor
Barreiras
Não magnético
ResumoThe quantum transport of spin-polarized electrons across nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriers is considered theoretically. We have calculated the spin dependent transmission coeÆcient, for conducting electrons transversing lattice-matched In0:53Ga0:47As/GaAs0:5Sb0:5/In0:53Ga0:47As/ InP/In0:53Ga0:47As nanostructures with dierent numbers of asymmetric double barriers, as a func- tion of electron energy and angle of incidence. Spin-orbit split resonances, due to the Rashba term, are observed. The envelope function approximation and the Kane kp model for the bulk are used. For an unpolarized incident beam of electrons, we also obtain the spin polarization of the trans- mitted beam. The formation of spin dependent minibands of energy with nonzero transmission is observed.
ÁreaFISMAT
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
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Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
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5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/AMyMR
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/01.16.13.52
Última Atualização2013:03.21.14.30.35 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/01.16.13.52.25
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.48 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10886-PRE/6342
ISBN/ISSN1516-1439
ISSN1516-1439
Chave de CitaçãoAzevedoCorLeiFerTra:2002:RaAnRe
TítuloRaman analyses of residual stress in diamond thin films grown on Ti6A14V alloy
ProjetoFapesp e CNPq
Ano2002
MêsJan./Feb
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho697 KiB
2. Contextualização
Autor1 Azevedo, Adriana Faria
2 Corat, Evaldo José
3 Leite, Nélia Ferreira
4 Ferreira, Neidenei Gomes
5 Trava-Airoldi, Vladimir Jesus
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Campos, SP, Brazil
3 Faculdade de Engenharia Química de Lorena - Faenquil/Demar, Lorena, SP, Brazil
Endereço de e-Mailadriana@las.inpe.br
RevistaMaterials Research
Volume6
Número1
Páginas51-56
Histórico (UTC)2008-06-10 22:26:34 :: administrator -> jefferson ::
2009-08-28 18:43:53 :: jefferson -> administrator ::
2013-03-11 19:29:36 :: administrator -> jefferson :: 2003
2013-03-21 14:30:36 :: jefferson :: 2003 -> 2002
2013-03-21 16:39:00 :: jefferson -> administrator :: 2002
2018-06-05 01:20:48 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chavediamond nucleation
bias enhanced nucleation (BEN)
plasma
stress
ResumoThe stress evolution in diamond films grown on Ti6Al4V was investigated in order to develop a comprehensive view of the residual stress formation. Residual stress is composed of intrinsic stress induced during diamond film growth and extrinsic stress caused by the different thermal expansion coefficients between the film and substrate. In the coalescence stage it has been observed that the residual stress is dominated by the microstructure, whereas on continuous films, the thermal stress is more important. In this work diamond thin films with small grain size and good size and good quality were obtained in a surface wave-guide microwave discharge, the Surfatron system, with a negative bias voltage applied between the plasma shell and substrate. For above of 100V applied bias, the ratio of carbon sp3/sp2 bond may increase and the nucleation rate increase arising the high value at the 250V applied bias. Stress measurements and sp3 content in the film were studied by Raman scattering spectroscopy. The total residual stress is compressive and varied from 1.52 to 1.48 GPa between 0 and -200 V applied bias, respectively, and above the 200 V, the compressive residual stress increased drastically to 1.80 GPa. The diamond nucleation density was evaluated by top view SEM images.
ÁreaFISMAT
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URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/AMyMR
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Idiomaen
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Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
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Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/AMzsj
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/01.16.14.21.31
Última Atualização2013:03.21.17.26.29 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/01.16.14.21.34
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.48 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10878-PRE/6334
ISBN/ISSN1516-1439
ISSN1516-1439
Chave de CitaçãoDinizFerrCoraTrav:2002:BoDoDi
TítuloBoron doped diamond thin films on large area Ti6AL4V substrates for electrochemical application
Ano2002
Mêsjan./fev.
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho632 KiB
2. Contextualização
Autor1 Diniz, Alessandra Venâncio
2 Ferreira, Neidenei Gomes
3 Corat, Evaldo José
4 Trava-Airoldi, Vladimir Jesus
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 ITA, São José dos Campos - SP
Endereço de e-Mailavdiniz@las.inpe.br
RevistaMaterials Research
Volume6
Número1
Páginas57-61
Histórico (UTC)2013-03-11 19:29:37 :: administrator -> jefferson :: 2003
2013-03-21 17:26:30 :: jefferson -> administrator :: 2003 -> 2002
2018-06-05 01:20:48 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-Chaveboron doped-diamond
Ti6AL4V
electrochemistry
ResumoBoron doped diamond thin films were grown on titanium alloy substrates (Ti6Al4V) with 36 × 35 × 1.3 mm at 873-933 K at 6.5 × 103 Pa during 8 h by hot filament CVD assisted technique. The boron source was obtained from a H2 line forced to pass through a bubbler containing B2O3 dissolved in methanol (BC = 6000 ppm). The films were grown on both sides of perforated and non-perforated substrates. Emphasis for diamond growing on perforated substrates have been done in order to increase the active surface area and hereafter to promote an easier electrolyte flow for wastewater treatment. The electrode performance was determined by cyclic voltammetry measurements in KCl, KNO3, Na2SO4, HCl, HNO3 and H2SO4 solutions and the reversibility behavior of the Fe(CN)63-/4- at the Ti6AL4V/Diamond electrode were studied. Also, Scaning Electron Microcopy and Raman Scattering Spectroscopy were used for morphology and diamond quality evaluation, respectively.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Boron doped diamond...
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/AMzsj
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/AMzsj
Idiomaen
Arquivo Alvov6n1a11.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
jefferson
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Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
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Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/G8gdx
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2005/05.12.11.26   (acesso restrito)
Última Atualização2005:12.22.16.10.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2005/05.12.11.26.41
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.20 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13281-PRE/8523
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoGranato:2002:ZeSuTr
TítuloZero-temperature superconducting transition in frustrated Josephson-junction arrays
ProjetoMATCON: Física da matéria condensada
Ano2002
MêsSept.
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho201 KiB
2. Contextualização
AutorGranato, Enzo
Identificador de Curriculo8JMKD3MGP5W/3C9JH2J
GrupoLAS-INPE-MCT-BR
AfiliaçãoInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número3
Páginas699-704
Histórico (UTC)2005-12-22 16:10:53 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:24:21 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:52:46 :: sergio -> marciana ::
2008-03-17 13:25:47 :: marciana -> administrator ::
2008-06-10 22:24:54 :: administrator -> marciana ::
2011-05-21 08:16:31 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:20:20 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Zero-temperature superconducting
Josephson junction array
Monte Carlo simulation
Current-voltage characteristics
Magnetic field
Quenched disorder
Phase transitions
Wire networks
Glass models
Coherence
threshold
Behavior
State
SENSORES E MATERIAIS
Supercondução a zero temperatura
Arranjo da junção de Josephson
Simulação de Monte Carlo
Características da voltagem corrente
Camps magnéticos
Comportamento
Estado
ResumoThe critical behavior of zero-temperature superconducting transitions which can occur in disordered two-dimensional Josephson-junction arrays are investigated by Monte Carlo calculation of ground-state excitation energies and dynamical simulation of the current-voltage characteristics at nonzero temperatures. Two models of arrays in an applied magnetic field are considered: random dilution of junctions and random couplings with half-flux quantum per plaquette f=1/2. Above a critical value of disorder, finite-size scaling of the excitation energies indicates a zero-temperature transition and allows an estimate of the critical disorder and the thermal correlation length exponent characterizing the transition. Current-voltage scaling is consistent with the zero-temperature transition. The linear resistance is nonzero at finite temperatures but nonlinear behavior sets in at a characteristic current density determined by the thermal critical exponent. The zero-temperature transition provides an explanation of the washing out of structure for increasing disorder at f=1/2 while it remains for f=0, observed experimentally in supercondoucting wire networks.
ÁreaFISMAT
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
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marciana
sergio
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5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
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Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
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7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemarte3.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3Lwm
Repositóriosid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.21   (acesso restrito)
Última Atualização2006:03.03.18.08.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.22.01
Última Atualização dos Metadados2018:06.06.03.55.46 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13567-PRE/8777
ISSN0103-9733
Rótulo10547
Chave de CitaçãoHanamotoHeTrSoYaAb:2002:InLaIm
TítuloInterfacial layers and impurity segregation in InP/In0.53Ga0.47As superlattices
ProjetoTECMAT: Tecnologia de Materiais
Ano2002
Data Secundária20020912
MêsJune
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho293 KiB
2. Contextualização
Autor1 Hanamoto, L. K.
2 Henriques, A. B.
3 Tribuzy, C. V. B.
4 Souza, P. L.
5 Yavich, B.
6 Abramof, Eduardo
Grupo1
2
3
4
5
6 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
2 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
3 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
4 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
5 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2
Páginas334-337
Histórico (UTC)2005-08-04 03:22:02 :: administrator -> jefferson ::
2006-03-03 18:08:46 :: jefferson -> administrator ::
2006-11-14 18:52:54 :: administrator -> jefferson ::
2008-03-14 18:07:56 :: jefferson -> administrator ::
2018-06-06 03:55:46 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Impurity
Quantum wells
Photoluminescence
Growth
MOVPE
INP
SENSORES E MATERIAIS
Impurezas
Fotoluminescência
ResumoThe interfaces in InP/In0.53Ga0.47As superlattices modulation doped with Si were investigated using magneto-transport, capacitance-voltage, and high resolution X-ray diffraction measurements. Results indicate that a thick interfacial layer is formed when InP is grown on top of InxGa1-xAs, and that Si atoms that fall in the interfacial layer have a high probability of not forming a shallow donor center. Using a simple theoretical model the width of the interfacial layer which was estimated to be 7 +/- 1 monolayers.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Interfacial layers and...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvo19.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
jefferson
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Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
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5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
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6. Notas
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/xMAug
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2003/04.17.15.46   (acesso restrito)
Última Atualização2006:03.03.18.30.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2003/04.17.15.46.02
Última Atualização dos Metadados2018:06.04.04.22.34 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13258-PRE/8514
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoRohlingMPPMBBM:2002:ThLeTe
TítuloThermal lens temperature scanning for quantitative measurements in complex fluids
ProjetoTECAMB: Tecnologias ambientais
Ano2002
MêsJune
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho328 KiB
2. Contextualização
Autor1 Rohling, J. H.
2 Mura, J.
3 Pereira, J. R. D.
4 Palangana, A. J.
5 Medina, A. N.
6 Bento, A. C.
7 Baesso, M. L.
8 Miranda, Luiz Carlos Moura
Identificador de Curriculo1
2
3
4
5
6
7
8 8JMKD3MGP5W/3C9JHN5
Grupo1
2
3
4
5
6
7
8 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
2 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
3 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
4 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
5 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
6 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
7 Departamento de Física, Universidade Estadual de Maringá (UEM)
8 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2b Sp. Iss.
Páginas575-583
Histórico (UTC)2008-02-25 17:58:10 :: marciana -> administrator ::
2018-06-04 04:22:34 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
Thermal lens
Spetrometry
Fluorescence quantum efficiency
Isotropic phase-transition
Lyotropic liquid-crystal
Soda lime glass
Thermoopitcial properties
Fluoride glasses
Refractive index
Nematic phase
Dependence
FÍSICA DE MATERIAIS
Lentes térmicas
Espectrometria
Eficiência quantica da fluorescência
Transição da fase isotrópica
Cristal líquido liotrópico
Propriedades termo-ópticas
Dependência
ResumoIn this work thermal lens spectrometry is applied to investigate the thermo-optical properties of complex fluids as a function of the temperature. The method is applied in poly(vinyl chloride), in polycarbonate and in lyotropic liquid crystals as the testing samples. The focus of the discussion will be in the temperature range where the phase transitions occur. The perspective of future studies in this area will be discussed.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Thermal lens temperature...
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Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvo75.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m18@80/2008/03.17.15.17
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/G8gGP
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2005/05.12.11.51   (acesso restrito)
Última Atualização2005:12.22.16.17.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2005/05.12.11.51.40
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.20 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13282-PRE/8524
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoTrushinGrYiKoAlSa:2002:SuInDi
TítuloSurface instability and dislocation nucleation in strained epitaxial layers
ProjetoMATCON: Física da matéria condensada
Ano2002
MêsJune
Data de Acesso24 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho233 KiB
2. Contextualização
Autor1 Trushin, O
2 Granato, Enzo
3 Ying, S. C.
4 Kosterlitz, J. M.
5 Ala-Nissila, T.
6 Salo, P.
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JH2J
Grupo1
2 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Institute of Microelectronics and Informatics, Academy of Sciences of Russia
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
3 Department of Physics, Brown University
4 Department of Physics, Brown University
5 HIT and Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology
6 HIT and Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2
Páginas369-371
Histórico (UTC)2005-12-22 16:17:45 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:24:22 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:52:46 :: sergio -> marciana ::
2008-02-26 16:23:40 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:20:20 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
Stability
Defect nucleation
Epitaxial layers
Molecular dynamics simulations
Misfit discolations
Heterostructures
Relaxatio
Silicon
Growth
Films
FÍSICA DE MATERIAIS
Estabilidade
Nucleação defeituosa
Simulação dinâmica molecular
Heteroestruturas
Silicone
Filmes
ResumoWe have studied numerically the stability and defect nucleation in epitaxial layers on a substrate with lattice mismatch. Stress relaxation and energy barriers for misfit dislocation nucleation are estimated using modern methods for saddle point search based on a combination of activation with local repulsive potential and the Nudged Elastic Band method. Stress relaxation processes correspond to different transition paths from coherent to incoherent states of the epitaxial layer. Using a two-dimensional atomistic model with Lennard-Jones interacting potential, we find different equilibrium critical thickness and activation energy behavior for dislocation nucleation of epitaxial films under tensile and compressive strain. For tensile strain, the energy barrier decreases with thickness while it reaches a constant value for compressive strain.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Surface instability and...
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Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvosurface instability.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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