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A expressão de busca foi <secondaryty pn and firstg las and y 2004 and (dissemination websci or dissemination portalcapes)>.
9 referências encontradas buscando em 17 dentre 17 Arquivos.
Data e hora local de busca: 25/04/2024 19:34.
1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/JT4jx
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2006/01.25.13.22
Última Atualização2006:01.25.13.22.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2006/01.25.13.22.19
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.24 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
ISSN0101-7659
Chave de CitaçãoAmorimAlEiTrCoMo:2004:DiGrCV
TítuloThe diamond growth CVD assisted by hot filament in silicon substrate in 80 cm2 areas
Ano2004
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho452 KiB
2. Contextualização
Autor1 Amorim, A.
2 Alves, A. R.
3 Eichenberger Neto, J.
4 Trava-Airoldi, Vlademir Jesus
5 Corat, Evaldo José
6 Moro, João Roberto
Identificador de Curriculo1
2
3
4
5 8JMKD3MGP5W/3C9JH33
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 PPGSS Engenharia e Ciência dos Materiais. Universidade São Francisco Itatiba
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE, LAS)
RevistaRevista Brasileira de Aplicações de Vácuo
Volume23
Número2
Páginas88-92
Histórico (UTC)2006-01-25 13:26:51 :: marciana -> administrator ::
2010-05-11 20:50:57 :: administrator -> marciana ::
2011-12-12 11:51:26 :: marciana -> administrator :: 2004
2018-06-05 01:20:24 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChaveCVD Diamond
Big Areas
Hot Filament
ResumoNowadays, the diamond grown by chemical vapor deposi-tion (CVD) is seen economically as one of the most interest-ing materials, due to its vast application, mainly in short-term, resulting from diamonds unique properties. Its appli-cations reach many technological areas, standing out the mechanics area due to possibilities use as cutting tools, tribological layers in automobiles and aeronautical engines, heat sinks, surfaces protection for aggressive environments and abrasive special devices which also add applications in biological areas. The largest obstacle for these applications is the high cost of diamond films production if compared commercially with other alternative materials. So, the area and the growth rate increasing is a solution for the costs reduction in the diamond production. The CVD diamond samples used in this work had been grown in a big reactor, for growth in big areas, by the hot filament chemical vapor deposition technique (HFCVD). The precursory mixture of 2% of methane in hydrogen was maintained by a of 50 mbar pressure for a E2M8 - Boc Edwards vacuum pump. The substrate used in the growths was silicon (100) with 100mm of diameter. The growth temperature was maintained in (800 ± 20) °C and the growth time was changeable until about 50 h, when it had the breaks of the substrate. The diamond growth rate measured (0,7 ± 0,1) µm/h is low for economic viability of the process. The spectroscopy of Ra-man scattering analysis evidences the diamond growth of good quality, approximately in one area of 80 cm2, with minimum compressive stress. The properties and the dia-mond growth rates the surfaces of the used substrate had been uniform. The reached development allows diamond growth 30µm thickness in 80 cm2 areas, without breaking of the substrate.
ÁreaFISMAT
ArranjoThe diamond growth...
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZ3r59YDa/JT4jx
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZ3r59YDa/JT4jx
Idiomaen
Arquivo Alvoamorim.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoPORTALCAPES
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CSSJk
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/07.26.10.14   (acesso restrito)
Última Atualização2004:07.26.03.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/07.26.10.14.09
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.59 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10989-PRE/6445
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoAnjosAbrRapUetClo:2004:ElPrBi
TítuloElectrical properties of Bi-Doped PbTe layers grown by molecular beam epitaxy on BaF2 substrates
Ano2004
MêsJune
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho93 KiB
2. Contextualização
Autor1 Anjos, Alexandre M. Pires dos
2 Abramof, Eduardo
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
4 Ueta, Antonio Yukio
5 Closs, Humberto
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume34
Número2A
Histórico (UTC)2018-06-05 01:20:59 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
ResumoResisistivity and Hall measurements were performed at temperatures from 10 to 320K on Bi-doped PbTe layers grown on (111) BaF2 by molecular beam epitaxy. Samples with electron concentration varying from 1x1017 to 4x1019cm¡3 were obtained. Results indicated that all offered Bi atoms in the vapor phase were effectively incorporated in the PbTe as active donors. No thermal activation in the whole doping range was observed, indicating that the Bi donor level lies resonant with the conduction band. The mobility curve showed that the PbTe layers tend to a metallic behavior as the electron concentration increases. A value around 1x1019 cm¡3 is suggested for n+ PbTe contact layers in device application.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Electrical properties of...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvoabramofeletrical.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosaffiliation alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/Epot4
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/12.08.15.11   (acesso restrito)
Última Atualização2004:12.08.02.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/12.08.15.11.09
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.12 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11785-PRE/7144
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoBarrosAbrRapUetClo:2004:ChPbPn
TítuloCharacterization of PbTe p-n(+) junction grown by molecular beam epitaxy
Ano2004
Mêsjun.
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho83 KiB
2. Contextualização
Autor1 Barros, André Santiago
2 Abramof, Eduardo
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
4 Ueta, Antonio Yukio
5 Closs, Huberto
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU
5 8JMKD3MGP5W/3C9JHCR
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume34
Número2B
Páginas641-643
Histórico (UTC)2006-01-23 10:20:12 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:28:22 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:53:40 :: sergio -> administrator ::
2008-06-10 22:28:19 :: administrator -> marciana ::
2011-05-20 05:28:48 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:21:12 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveINFRARED DETECTORS
LAYERS
ResumoIn this work we investigate the electrical properties of PbTe p - n(+) junction. Mesa diodes were fabricated from p - n(+) PbTe layers grown on (111) BaF2 substrates by molecular beam epitaxy. From the analysis of the current versus voltage characteristic measured at 80K, the incremental differential resistance and the series resistance were determined. The capacitance versus voltage curves were measured at a frequency of 1MHz. The one-sided abrupt junction was checked through the 1/C(2)xV plot. From the linear fit, the hole concentration and the depletion layer width in the p-side were obtained. The high detectivity values measured for the p - n(+) PbTe diode confirm that it is very suitable for infrared detection.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Characterization of PbTe...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvov34_641.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/EppRQ
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/12.08.16.18   (acesso restrito)
Última Atualização2004:12.08.02.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/12.08.16.18.04
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.12 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11786-PRE/7145
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoHanamotoHeRaOlUeAb:2004:MaFiIn
TítuloMagnetic field induced absorption in PbxEu1-xTe magnetic semiconductors
ProjetoTECMAT: Tecnologia de materiais / Caracterização elétrica de materiais e dispositivos semicondutores
Ano2004
MêsJune
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho202 KiB
2. Contextualização
Autor1 Hanamoto, L. K.
2 Henriques, A. B.
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
4 Oliveira, N. F.
5 Ueta, Antonio Yukio
6 Abramof, Eduardo
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
4
5 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU
6 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
4
5 LAS-INPE-MCT-BR
6 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
2 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
4 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume34
Número2B
Páginas687-689
Histórico (UTC)2004-12-14 11:41:33 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:28:22 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:53:40 :: sergio -> marciana ::
2008-04-01 12:31:06 :: marciana -> administrator ::
2008-06-10 22:28:20 :: administrator -> marciana ::
2011-05-29 21:06:48 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:21:12 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Magnetic field
Semiconductors
Antiferromagnetic EUTE
Polaron
Photoluminescence
Chalcogenides
Luminescence
SENSORES E MATERIAIS
Campos magnéticos
Semicondutores
Antiferromagnético
Fotoluminescência
Luminescência
ResumoWe report an investigation of the optical absorption spectrum, using non-polarized light, in PbxEu1-xTe, x=0 and x=0.095, epitaxial thick layers grown by molecular beam epitaxy (MBE). The absorption edge is described by a broad band, due to the electronic transitions from the 4f(7) of Eu2+ to the states in 4f(6)5d configuration, as seen previously in bulk Eu chalcogenides. When a magnetic field is applied, a narrow absorption band (full width similar to50 meV) emerges from the broad one. The energy of this absorption peak red shifts when the magnetic field increases, and reaches saturation when the Eu2+ attain ferromagnetic arrangement. This behaviour can be described by a localized excitation model with d - f exchange interaction.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Magnetic field induced...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvomagnetic field induced.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
sergio
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Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/EsHAw
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/12.14.10.11   (acesso restrito)
Última Atualização2008:02.20.17.59.28 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/12.14.10.11.39
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.13 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-15207-PRE/10077
DOI10.1088/0022-3727/37/21/002
ISSN0102-6895
Chave de CitaçãoOliveiraHenLamQuiAbr:2004:MeMiPa
TítuloMeasurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields
ProjetoTECMAT: Tecnologia de materiais
Ano2004
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho122 KiB
2. Contextualização
Autor1 Oliveira, R. F.
2 Henriques, A. B.
3 Lamas, T. E.
4 Quivy, A. A.
5 Abramof, Eduardo
Identificador de Curriculo1
2
3
4
5 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
Grupo1
2
3
4
5 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto de Física, Universidade de São Paulo (USP)
2 Instituto de Física, Universidade de São Paulo (USP)
3 Instituto de Física, Universidade de São Paulo (USP)
4 Instituto de Física, Universidade de São Paulo (USP)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaRevista de Física Aplicada e Instrumentação
Volume37
Número21
Páginas2949-2953
Histórico (UTC)2004-12-14 12:11:40 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:28:42 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:53:43 :: sergio -> marciana ::
2008-02-20 17:59:28 :: marciana -> administrator ::
2008-06-10 22:28:43 :: administrator -> banon ::
2010-05-12 14:13:31 :: banon -> administrator ::
2018-06-05 01:21:13 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
Doped superlattice
Photoluminescence
Magnetic fields
FÍSICA DE MATERIAIS
Fotoluminescência
Campos magnéticos
ResumoWe have studied a 50/50 Å superlattice of GaAs/Al0.21Ga0.79As composition, modulation-doped with Si, to produce n = 1.4 × 1012 cm-2 electrons per superlattice period. The modulation-doping was tailored to avoid the formation of Tamm states, and photoluminescence (PL) due to interband transitions from extended superlattice states was detected. By studying the effects of a quantizing magnetic field on the superlattice PL, the miniband energy width, the reduced effective mass of the electron-hole pair, and the band gap renormalization could be deduced.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Measurement of miniband...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvomeasurement.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
banon
marciana
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoPORTALCAPES
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/EsH9u
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/12.14.09.48   (acesso restrito)
Última Atualização2004:12.14.02.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/12.14.09.48.55
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.13 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11821-PRE/7174
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoOliveiraHLQPSYA:2004:LuMiSt
TítuloLuminescence from Miniband States in Heavily Doped Superlattices
ProjetoTECMAT: Tecnologia de materiais
Ano2004
MêsJune
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho203 KiB
2. Contextualização
Autor1 Oliveira, R. F.
2 Henriques, A. B.
3 Lamas, T. E.
4 Quivy, A. A.
5 Piresy, M. P.
6 Souza, P. L.
7 Yavichy, B.
8 Abramof, Eduardo
Identificador de Curriculo1
2
3
4
5
6
7
8 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
Grupo1
2
3
4
5
6
7
8 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade de São Paulo, Instituto de Física
2 Universidade de São Paulo, Instituto de Física
3 Universidade de São Paulo, Instituto de Física
4 Universidade de São Paulo, Instituto de Física
5 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
6 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
7 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
8 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume34
Número2B
Páginas650-652
Histórico (UTC)2004-12-14 11:48:56 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:28:42 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:53:43 :: sergio -> marciana ::
2008-02-20 17:52:05 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:21:13 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
Luminescence
Doped superlattices
FÍSICA DE MATERIAIS
Luminescência
ResumoWe have studied doped superlattices of GaAs/AlGaAs composition. When the doping atoms are introduced into the barriers surrounding the superlattice, as well as to the inner ones, but with half of the concentration, the photoluminescence due to interband transitions from extended superlattice states is detected. This is demonstrated by a study of the samples photoluminescence in a magnetic field, whose intensity oscillates in concomitance with the SdH spectrum of electrons confined in the miniband.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Luminescence from Miniband...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvoluminescence from.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CSTjJ
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/07.26.10.40   (acesso restrito)
Última Atualização2004:12.14.02.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/07.26.10.40.54
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.59 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10990-PRE/6446
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoUetaRCMAACCOB:2004:MBGrCh
TítuloMBE Growth and Characterization of Sn1¡xEuxTe
ProjetoTECMAT: Tecnologia de materiais
Ano2004
MêsJune
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho150 KiB
2. Contextualização
Autor 1 Ueta, Antonio Yukio
 2 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
 3 Closs, Humberto
 4 Motisuke, Paulo
 5 Abramof, Eduardo
 6 Anjos, Vanderlan Rodrigues dos
 7 Chitta, V. A.
 8 Coaquira, J. A.
 9 Oliveira Jr, N. F.
10 Bauer, G.
Identificador de Curriculo 1 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU
 2 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
 3
 4 8JMKD3MGP5W/3C9JJ39
 5 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
Grupo 1 LAS-INPE-MCT-BR
 2 LAS-INPE-MCT-BR
 3 LAS-INPE-MCT-BR
 4 LAS-INPE-MCT-BR
 5 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
 3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
 5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
 6 Escola Preparatória de Cadetes do Ar (EPCAR)
 7 Universidad de São Paulo, Instituto de Física (USP)
 8 Universidad de São Paulo, Instituto de Física (USP)
 9 Universidad de São Paulo, Instituto de Física (USP)
10 Institut für Halbleiterphysik, Universität Linz
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume34
Número2B
Páginas672-674
Histórico (UTC)2004-12-14 13:20:56 :: marciana -> administrator ::
2006-09-28 22:27:52 :: administrator -> marciana ::
2008-02-26 16:47:46 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:20:59 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
MBE
Growth
FÍSICA DE MATERIAIS
Cresicmento
ResumoEpilayers of Sn1¡xEuxTe (0 < x < 0:03) were grown by molecular beam epitaxy on freshly cleaved BaF2(111) substrates and their structural, electrical and optical properties were investigated. The thicknesses of epilayers were about 1.5 ¹m and deposition was carried out at growth temperatures of 300 oC. The structural properties were investigated by high resolution X-ray diffraction and a sharp film degradation could be observed with increasing europium content. Electrical measurements with temperature varying from 300 to 10K indicated that the epilayers present carrier concentration ranging between 3 £ 1020 and 6 £ 1020cm¡3 and a low resistivity from 6:3 £ 10¡5 to 1:2 £ 10¡4 ­.cm. From optical measurements it could be seen that spectra present a low energy edge corresponding to the beginning of intra band excitations and the high energy edge due to inter band excitations.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > MBE Growth and...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvombe.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CT6Po
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/07.26.16.33   (acesso restrito)
Última Atualização2014:08.20.19.10.45 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/07.26.16.33.43
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.00 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11001-PRE/6457
ISSN1422-6375
Chave de CitaçãoVieiraNono:2004.:MiInAn
TítuloMicrosctructure and interface analyses of TiN thin films deposited on M2 speed steel substrate by cathodic arc technique
ProjetoTECAMB: Tecnologia ambiental
Ano2004.
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho401 KiB
2. Contextualização
Autor1 Vieira, Rogério de Almeida
2 Nono, Mario do Carmo Andrade
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
Endereço de e-Mail do Autor1 ravieira@las.inpe.br
RevistaJournal of Metastable and Nanocrystalline Materials
Volume20-21
Páginas654-658
Histórico (UTC)2006-09-28 22:27:54 :: administrator -> marciana ::
2008-03-14 13:03:43 :: marciana -> administrator ::
2013-09-24 21:57:41 :: administrator -> marciana :: 2004.
2014-08-20 19:11:14 :: marciana -> administrator :: 2004.
2018-06-05 01:21:00 :: administrator -> marciana :: 2004.
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãofinaldraft
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
High speed steel
TiN thin films
Cathodic arc tecnique
SENSORES E MATERIAIS
Aço
Filmes
ResumoTiN films with different substrate temperatures have been produced on the surface of M2 speed steel with a titanium interlayer by a cathodic arc plasma deposition process. In this work, the influence of the substrate temperature on the microstructure and interface depth profile of deposited titanium nitride (TiN) films by using a titanium interlayer are presented and discussed. The TiN film-Ti interlayer-M2 substrate interface region were analyzed by energy dispersive spectrometry (EDS) and were observed by backscattered electron image (BEI). The structure and morphology of the TiN film were evaluated using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). At lower temperature, the resultant TiN film exhibited strong (111) preferred orientation, whereas at higher temperature the dominant orientations of the film were (111) and (200). The result shows that the interface region of the TiN-Ti-M2 system was significantly improved at higher temperature.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Microsctructure and interface...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvovieira.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CSRfU
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/07.26.09.03
Última Atualização2004:07.26.03.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/07.26.09.03.08
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.58 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10999-PRE/6455
ISSN1516-1439
Chave de CitaçãoVieiraNono:2004:NuGrMi
TítuloNucleation and growth microstructural study of Ti films on 304 SS substrates
ProjetoTECAMB: Tecnologia ambiental
Ano2004
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho785 KiB
2. Contextualização
Autor1 Vieira, Rogério de Almeida
2 Nono, Maria do Carmo de Andrade
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JHRC
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
RevistaMaterials Research
Volume7
Número3
PáginasID Artigo: 507
Histórico (UTC)2006-09-28 22:27:50 :: administrator -> marciana ::
2008-03-14 17:24:30 :: marciana -> administrator ::
2014-08-23 01:40:24 :: administrator :: 2004. -> 2004
2018-06-05 01:20:58 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Ti film nucleation and growth
Microstructural study
Electron beam
SENSORES E MATERIAIS
Filmes
Estudo microestrutural
Elétrons
ResumoCoating of steel surfaces with titanium films has been studied with the objective to protect them against corrosion, and to create an intermediate film for CVD diamond and TiN film deposition. In this work, the nucleation, growth mechanisms and microstructural formation of the titanium films deposited on 304 stainless steel (304 SS) substrate are presented and discussed. The titanium films of variable thickness were obtained by vapour phase deposition produced by electron beam. The surfaces of these samples were observed by scanning electron microscopy. The cross sections of these samples were observed by using an atomic force microscope. The Ti film-304 SS interfaces were analyzed by X-ray diffraction. The results showed that titanium films have a columnar growth. The Ti film-304 SS interface had a residual compression stress at room temperature due to the interdiffusion process.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > Produção anterior à 2021 > LABAS > Nucleation and growth...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CSRfU
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CSRfU
Idiomaen
Arquivo Alvorogerio.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.55.40 5
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
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