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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnK2Y/NnUAQ
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m17@80/2006/12.06.18.24   (acesso restrito)
Última Atualização2006:12.06.18.24.29 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m17@80/2006/12.06.18.24.30
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.03.44.19 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14424-PRE/9508
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoRodriguesBonSanTraCor:2006:AdDiCa
TítuloAdherent diamond-like carbon coatings on metals via PECVD and IBAD
Ano2006
Mêsset.
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho297 KiB
2. Contextualização
Autor1 Rodrigues, Gil Capote
2 Bonetti, Luís Francisco
3 Santos, Lúcia Vieira
4 Trava-Airoldi, Vladimir Jesus
5 Corat, Evaldo José
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
4 LAS-INPE-MCT-BR
5 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número3B
Páginas986-989
Histórico (UTC)2006-12-06 18:24:30 :: simone -> administrator ::
2008-06-29 02:29:47 :: administrator -> simone ::
2011-05-20 21:33:10 :: simone -> administrator ::
2012-11-24 01:39:38 :: administrator -> simone :: 2006
2013-02-20 15:19:55 :: simone -> administrator :: 2006
2018-06-05 03:44:19 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveDiamond-like carbon
Plasma enhanced chemical vapor deposition
Ion beam-assisted deposition
ResumoAdherent and low-stress a-C:H films were deposited on Ti6Al4V and stainless steel substrates using PECVD and IBAD techniques. An amorphous silicon interlayer was applied to improve the adhesion of the a-C:H films on the metal substrates. The XPS technique was employed to analyze the chemical bondings within the interfaces. The elemental composition and atomic density of the films were determined by ion beam analysis. The film microstructure was studied by means of Raman scattering spectroscopy. The mechanical properties were determined by means of stress and hardness measurements. The adherence was evaluated by means of scratch tests. The tests showed that the composition, the microstructure, and the mechanical properties of the films depend on the intensity of the ion bombardment and on the ion current.
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoAdherent diamond like.pdf
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Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirolcp.inpe.br/ignes/2004/02.12.18.39
cptec.inpe.br/walmeida/2003/04.25.17.12
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnK2Y/NnN2T
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m17@80/2006/12.06.13.14   (acesso restrito)
Última Atualização2006:12.06.13.14.22 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m17@80/2006/12.06.13.14.23
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.03.44.17 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14415-PRE/9499
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoPerssonWillAndrSilv:2006:ElBaSt
TítuloElectronic band-edge structure, effective masses, and optical absorption of Si1-xGex using an extended FPLAPW/VCA/LDA+U computational method
Ano2006
Mêsjun.
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho155 KiB
2. Contextualização
Autor1 Persson, Clas
2 Willander, Magnus
3 Andrada e Silva, Erasmo Assumpção de
4 Silva, Antônio Ferreira da
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 IApplied Materials Physics, Department of Materials Science and Engineering, Royal Institute of Technology
2 Department of Physics, Chalmers University of Technology
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2
Páginas447-450
Histórico (UTC)2006-12-06 13:14:24 :: simone -> administrator ::
2008-06-29 02:29:33 :: administrator -> simone ::
2011-05-20 20:18:04 :: simone -> administrator ::
2012-11-24 01:39:32 :: administrator -> simone :: 2006
2013-02-20 15:19:54 :: simone -> administrator :: 2006
2018-06-05 03:44:17 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveFPLAPW/VCA/LDA+U
Optical properties
Si1-xGex
ResumoElectronic band-edge structure and optical properties of Si1-xGex are investigated theoretically emloying a full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. The exchange-correlation potential in the local density approximation (LDA) is corrected by an on-site Coulomb potential (i.e., within the LDA+USIC approach) acting asymmetrically on the atomic-like orbitals in the muffin-tin spheres. The electronic structure of the Si1-xGex is calculated self-consistently, assuming a Td symmetrized Hamiltonian and a linear behavior of the valence-band eigenfunctions for Si, SiGe, and Ge with respect to Ge composition x, assuming randomly alloyed crystal structure. i.e., a "virtual-crystal like" approximation (VCA). We show that this approach yields accurate band-gap energies, effective masses, dielectric function, and optical properties of Si1-xGex. We perform absorption measurements showing the band-gap energy for x < 0.25.
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4. Condições de acesso e uso
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Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirolcp.inpe.br/ignes/2004/02.12.18.39
cptec.inpe.br/walmeida/2003/04.25.17.12
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/Nfgvr
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/11.23.11.58   (acesso restrito)
Última Atualização2006:11.23.12.00.07 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/11.23.11.58.19
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.17.07 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14336-PRE/9423
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoRadiBritMaduDant:2006:ChPrCd
TítuloCharacterization and properties of CdO nanocrystals incorporated in polyacrylamide
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho135 KiB
2. Contextualização
Autor1 Radi, Polyana Alves
2 Brito-Maduro, A. G.
3 Madurro, J. M.
4 Dantas, N. O.
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Univ Fed Uberlandia
3 Univ Fed Uberlandia
4 Univ Fed Uberlandia
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2A
Páginas412-414
Histórico (UTC)2006-11-23 12:00:07 :: simone -> administrator ::
2018-06-05 01:17:07 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveCdO quantum dots (QDs)
polyacrylamide
optical properties
OXIDE THIN-FILMS
CADMIUM-OXIDE
GROWTH
ResumoCdO quantum dots (QDs) incorporated in polyacrylamide were synthesized adding aqueous suspension of cadmium oxide in acrylamide:bisacrylamide copolymer. Optical properties of CdO nanocrystals were studied by optical absorption. The size ranges (2-3 nm) were calculated by the effective mass approximation.
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoCharacterization and properties of CdO.pdf
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Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/M3jbb
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.58   (acesso restrito)
Última Atualização2006:11.23.11.04.23 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.58.58
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.56 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14333-PRE/9420
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoMenguiAbraRappUeta:2006:ChSnFi
TítuloCharacterization of SnTe films grown by molecular beam epitaxy
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho355 KiB
2. Contextualização
Autor1 Mengui, Úrsula Andréia
2 Abramof, Eduardo
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
4 Ueta, Antonio Yukio
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
4 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2A
Páginas324-327
Histórico (UTC)2006-08-03 13:58:58 :: simone -> administrator ::
2006-09-28 22:33:38 :: administrator -> simone ::
2006-11-23 11:04:23 :: simone -> administrator ::
2018-06-05 01:16:56 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSnTe
molecular beam epitaxy
BaF2 substrates
TIN TELLURIDE
SPIRAL GROWTH
SI(111)
PBSE
PBTE
ResumoA series of SnTe layers with thicknesses varying from 0.42 to 9.1 mu m were grown by molecular beam epitaxy on (111) BaF2 substrates. The SnTe lattice parameter was found to be 6.331 angstrom as determined from x-ray diffraction spectra measured in the triple-axis configuration. The FWHM of the (222) SnTe x-ray rocking curves indicated a good crystalline quality and an unusual dependence on layer thickness. Atomic force microscopy (AFM) of the SnTe surface revealed spirals with monolayer steps formed around threading dislocations, similar to the PbTe on BaF2 epitaxy.. The dislocation density was estimated from the AFM picture to be 9AC cm(-2). Small black pits corresponding to holes that were left during growth were also observed on the AFM images. Sri diffusion can be a possible reason for these pits and the relatively high dislocation density. Electrical measurements showed that the SnTe epilayers present a typical p-type carrier concentration around 10(20) cm(-3), almost temperature independent and a Hall mobility which decreases from 10(4) to 10(3) cm(2)/V.s as the temperature increases from 10 to 350K.
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ArranjoCharacterization of SnTe...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoCharacterization of SnTe films.pdf
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Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
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5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
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Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/M3iQr
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.45   (acesso restrito)
Última Atualização2006:11.23.11.06.08 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.45.06
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.56 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14334-PRE/9421
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoBarrosAbraRapp:2006:ElOpCh
TítuloLead telluride p-n junctions for infrared detection: Electrical and optical characteristics
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho145 KiB
2. Contextualização
Autor1 Barros, André Santiago
2 Abramof, Eduardo
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2A
Páginas474-477
Histórico (UTC)2006-08-03 13:45:06 :: simone -> administrator ::
2006-09-28 22:33:38 :: administrator -> simone ::
2006-11-23 11:06:08 :: simone -> administrator ::
2009-08-12 01:02:30 :: administrator -> simone ::
2011-05-24 14:08:45 :: simone -> administrator ::
2012-10-22 20:58:33 :: administrator -> simone :: 2006
2012-10-30 18:46:35 :: simone -> administrator :: 2006
2018-06-05 01:16:56 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chaveinfrared detection
electrical and optical characteristics
PbTe mesa diodes
SILICON
ARRAYS
ResumoPbTe mesa diodes were fabricated from a series of p-n junctions grown on BaF2 substrates. For this series, the hole concentration was kept constant at 10(17) cm(-3) and the electron concentration varied between and 10(19) cm(-3). Capacitance versus voltage analysis revealed that for n > 10(18) cm(-3), a one-sided abrupt junction is formed. The direct and reverse branches of the current versus voltage curves exhibited different forms among the diodes. The R(0)A product varied between 0.23 and 31.8 Omega cm(2), and the integral detectivity ranged from 1.1 x 10(8) to 6.5 x 10(10) cmHz(1/2)W(-1). The performance of the best PbTe photodiodes fabricated here is comparable to the commercial InSb and HgCdTe infrared detectors, and to the PbTe sensors grown on Si substrate.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > LABAS > Lead telluride p-n...
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4. Condições de acesso e uso
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Arquivo AlvoLead telluride p n junctions.pdf
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Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
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7. Controle da descrição
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/M3iJK
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.40   (acesso restrito)
Última Atualização2013:05.03.17.13.58 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.40.05
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.56 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
DOI10.1590/S0103-97332006000300036
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoDacalSilv:2006:CoThCr
TítuloConductance of three-dimensional cross junctions in the quantum ballistic regime
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho195 KiB
2. Contextualização
Autor1 Dacal, Luis C. O.
2 Silva, Erasmo Assumpcao de Andrada e
Grupo1
2 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto de Estudos Avançados - IEAv - CTA
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
Endereço de e-Mail do Autor1
2 erasmo@las.inpe.br
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2A
Páginas369-371
Histórico (UTC)2006-08-03 13:40:05 :: simone -> administrator ::
2013-03-11 11:50:53 :: administrator -> marciana :: 2006
2013-05-03 17:13:58 :: marciana -> administrator :: 2006
2018-06-05 01:16:56 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chaveinfluence of dimensionality
conductance
effective mass approximation
ResumoThe influence of dimensionality on the conductance of semiconductor cross junctions is investigated in the effective mass approximation and quantum ballistic regime. Our calculations exhibit some similar features for both two- and three-dimensional models, namely the conductance peaks before the fundamental eigenenergy of the quantum wire that represents the sidearms and the zero conductance dip. Despite this, we show that, in general, the conductance and the electronic wave function are strongly affected when the third spatial dimension is taken into account. In other words, we prove that two-dimensional models are not suitable for representing this kind of system.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Conductance of three-dimensional...
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4. Condições de acesso e uso
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Arquivo Alvoa36v362a.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
simone
Visibilidadeshown
Licença de Direitos Autoraisurlib.net/www/2012/11.12.15.10
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
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Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
URL (dados não confiáveis)http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300036
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/M3iC2
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.34   (acesso restrito)
Última Atualização2006:11.29.12.06.11 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/08.03.13.35.01
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.56 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
DOI10.1590/S0103-97332006000300034
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoAnjosAbraRapp:2006:GrStCh
TítuloGrowth and structural characterization of PbTe/PbEuTe double barrier
ProjetoFAPESP (00/12529-6)
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho294 KiB
2. Contextualização
Autor1 Anjos, Alexandre Miranda Pires dos
2 Abramof, Eduardo
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
Endereço de e-Mailmarcelo.pazos@inpe.br
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2A
Páginas361-364
Histórico (UTC)2006-08-03 13:35:01 :: simone -> administrator ::
2006-09-28 22:33:36 :: administrator -> simone ::
2006-11-29 12:06:11 :: simone -> administrator ::
2012-10-22 20:58:31 :: administrator -> simone :: 2006
2012-11-01 17:30:46 :: simone -> marcelo.pazos@sid.inpe.br :: 2006
2012-11-01 17:32:20 :: marcelo.pazos@sid.inpe.br -> administrator :: 2006
2018-06-05 01:16:56 :: administrator -> :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChavePbTe/PbEuTe double barrier
BaF2 substrates
molecular beam epitaxy
MULTIQUANTUM WELLS
PBTE
ResumoA series of PbTe/PbEuTe double barrier samples with different barrier widths were successfully grown on BaF2 substrates by molecular beam epitaxy. The electron concentration of PbTe spacer and well layers was controlled by the deviation from stoichiometry, while the buffer and cap layers were intentionally doped with bismuth to obtain low-resistivity layers to be used as top and bottom contacts. Assuming 50% of band offset, a barrier height of 150 meV was determined by infrared transmission measurements, corresponding to a PbEuTe barrier with 5% of europium content. The structural parameters of the samples were accurately determined 14 by combining the measurement in a high-resolution x-ray diffractometer in the triple-axis configuration with a simulation within the framework of dynamical theory of diffraction.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > Produção anterior à 2021 > LABAS > Growth and structural...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoGrowth and structural characterization.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marcelo.pazos@inpe.br
simone
Grupo de Leitoresadministrator
marcelo.pazos@inpe.br
simone
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
URL (dados não confiáveis)http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300034
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/LVDLc
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/07.31.18.35
Última Atualização2015:06.15.16.57.28 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/07.31.18.35.54
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.54 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
ISSN0101-7659
Chave de CitaçãoCapoteBonSanCorTra:2006:InInSi
TítuloInfluência da intercamada de silício amorfo na tensão total e na aderência de filmes de DLC em substratos de Ti6AI4V
Ano2006
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo de Trabalhojournal article
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho405 KiB
2. Contextualização
Autor1 Capote, Gil
2 Bonetti, Luís Francisco
3 Santos, Lúcia Vieira
4 Corat, Evaldo José
5 Trava-Airoldi, Vladimir Jesus
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
4 LAS-INPE-MCT-BR
5 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
Endereço de e-Mail do Autor1 capote@las.inpe.br
2
3
4 corat@las.inpe.br
5 vladimir@las.inpe.br
RevistaRevista Brasileira de Aplicações de Vácuo
Volume25
Número1
Páginas5-10
Histórico (UTC)2006-07-31 18:35:54 :: simone -> administrator ::
2006-09-28 22:13:55 :: administrator -> simone ::
2006-12-06 12:32:17 :: simone -> administrator ::
2013-10-09 06:50:57 :: administrator -> marciana :: 2006
2015-06-15 16:57:29 :: marciana -> administrator :: 2006
2018-06-05 01:16:54 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChaveDLC
PECVD
aderência
ResumoNeste trabalho, estudou-se a influência da utilização de uma intercamada fina de silício amorfo na tensão total e na aderência de filmes de DLC depositados em substratos de Ti6Al4V pela técnica de rf-PECVD. Na caracterização da intercamada de silício e das interfaces foi utilizada a técni-ca de XPS. A microestrutura dos filmes de DLC foi estuda-da utilizando a espectroscopia de espalhamento Raman. A tensão total dos filmes foi determinada a partir da deflexão do substrato usando a perfilometria e a dureza através de um microdurômetro. A aderência dos filmes foi avaliada usando-se a técnica de riscamento. Os resultados obtidos demonstraram que a utilização da intercamada de silício amorfo permite a deposição de filmes de DLC em substratos de Ti6Al4V com boa aderência, baixa tensão compressiva e elevada dureza. Observou-se a presença de SiC na interface entre o silício e o filme de DLC. A caracterização dos filmes de DLC mostrou que existe uma forte dependência da mi-croestrutura e das propriedades mecânicas destes filmes com a energia dos íons. ABSTRACT: Thin amorphous silicon interlayer influence on the total stress and on the DLC film adhesion deposited onto Ti6Al4V substrates by rf-PECVD was studied. The silicon interlayer was characterized using the XPS technique. The film microstructure was probed by means of Raman spec-troscopy. The total stress was determined through the measurement of changing of the substrate curvature by per-filometry, while microindentation experiments provided the film hardness. The adherence had been evaluated by means of the scratch technique. The results show that the use of amorphous silicon interlayer allowed the DLC film deposi-tion onto Ti6Al4V substrates with good adhesion, low com-pressive stress and high hardness. The SiC was observed in the interphase between silicon and DLC film. The DLC film characterization showed that the microstructure and me-chanical properties of these films depend on the ion bom-bardment energy.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Influência da intercamada...
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZGivnJVY/LVDLc
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZGivnJVY/LVDLc
Idiomapt
Arquivo Alvocapote_influencia.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
simone
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoPORTALCAPES
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/LTUCA
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/07.28.19.28   (acesso restrito)
Última Atualização2006:07.28.19.28.45 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/07.28.19.28.46
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.53 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13915--PRE/9095
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoBarbosaNovaBald:2006:NuSiHF
TítuloNumerical simulation of HFCVD process used for diamond growth
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho430 KiB
2. Contextualização
Autor1 Barbosa, Divani C.
2 Nova, Helcio F. V.
3 Baldan, Maurício Ribeiro
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JHTA
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAC-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Computação e Matemática Aplicada (INPE.LAC)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2
Páginas313-316
Histórico (UTC)2006-07-28 19:28:46 :: simone -> administrator ::
2009-08-12 01:01:50 :: administrator -> simone ::
2011-05-21 20:36:08 :: simone -> administrator ::
2018-06-05 01:16:53 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveNumerical simulation
Diamond growth
Hot-filament chemical vapour deposition
ResumoHot-filament chemical vapour deposition (HFCVD) is a common method employed for diamond deposition. Typically in this method a dilute mixture of carbon containing gas such as methane in hydrogen is thermally activated at sub atmospheric pressures by a hot filament. Due to the filament-substrate proximity, large temperature variation across the substrate is possible. In this work we investigate the role of fluid flow and heat transfer from the filament to substrate in determining the quality of diamond growth. The commercial software CFX was used to calculate velocity field, temperature distribution and fluid flow. A vortex was identified on the substrate.
ÁreaFISMAT
Arranjo 1urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAC > Numerical simulation of...
Arranjo 2urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Numerical simulation of...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoNumerical simulation of hfcvd process.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
simone
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESGTTP
8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnJVY/LTTpU
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/07.28.18.30   (acesso restrito)
Última Atualização2006:07.28.18.30.47 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/07.28.18.30.48
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.53 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13912--PRE/9093
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoJalkanenTruGraYinAla:2006:ShTrDi
TítuloShape transition and dislocation nucleation in strained epitaxial islands
Ano2006
MêsJune
Data de Acesso29 mar. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho299 KiB
2. Contextualização
Autor1 Jalkanen, J.
2 Trushin, O.
3 Granato, Enzo
4 Ying, S. C.
5 Ala-Nissila, T.
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JH2J
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology
2 Institute of Microelectronics and Informatics, Academy of Sciences of Russia
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais
4 Department of Physics, Brown University
5 Department of Physics, Brown University
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2
Páginas328-331
Histórico (UTC)2006-07-28 18:30:48 :: simone -> administrator ::
2009-08-12 01:01:49 :: administrator -> simone ::
2011-05-26 18:00:45 :: simone -> administrator ::
2018-06-05 01:16:53 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveStrained epitaxial islands
Dislocation nucleation
Atomistic model
ResumoWe study numerically the equilibrium shape, shape transition and dislocation nucleation in strained epitaxial islands with a two-dimensional atomistic model, using interatomic potentials of Lennard-Jones type. The phase diagram for the equilibrium island shapes as a function of island size and lattice misfit with the substrate is obtained by an energy minimization procedure which does not require predefined faceted shapes. We determine the energy barrier and transition path for transition between different shapes of the islands and for dislocation nucleation in initially coherent islands using a method introduced recently, based on a systematic search of the transition paths for activated events.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Shape transition and...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoShape transition and dislocation.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
simone
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
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