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2 referências encontradas buscando em 17 dentre 17 Arquivos.
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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP7W/37SMM2S
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m19@80/2010/07.19.12.31
Última Atualização2011:02.23.19.05.57 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m19@80/2010/07.19.12.31.55
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.04.36.46 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
ISSN0370-4467
Chave de CitaçãoMoroTrCoEiAmAl:2010:CVDiGr
TítuloCVD Diamond growth in the silicon substrates of large area / CVD Diamond growth in the silicon substrates of large area
Ano2010
Mêsabr.- jun.
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho488 KiB
2. Contextualização
Autor1 Moro, Joao Roberto
2 Trava-Airoldi, Vladimir Jesus
3 Corat, Evaldo Jose
4 Eichenberger Neto, Joao
5 Amorim, Amauri
6 Alves, Arnaldo Ribeiro
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JH33
Grupo1
2 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
3 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Univ Estadual Campinas, FCA, Limeira, SP, Brazil
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 FAC, Campinas, SP, Brazil
5
6 IFSP, Salto, SP, Brazil.
RevistaRevista da Escola de Minas
Volume63
Número3
Páginas279 285 7
Nota SecundáriaB5_CIÊNCIAS_AGRÁRIAS_I B5_ECOLOGIA_E_MEIO_AMBIENTE B4_ENGENHARIAS_I B1_ENGENHARIAS_II B2_ENGENHARIAS_III B3_ENGENHARIAS_IV B2_GEOCIÊNCIAS B1_INTERDISCIPLINAR B4_MATEMÁTICA_/_PROBABILIDADE_E_ESTATÍSTICA B4_MATERIAIS C_QUÍMICA
Histórico (UTC)2011-05-11 09:25:38 :: marciana -> administrator :: 2010
2018-06-05 04:36:46 :: administrator -> marciana :: 2010
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
ResumoDiamond films were grown through Chemical Vapor Deposition (CVD) in silicon substrates (100) of large area (80 cm(2),), in a hot filament chemical vapor deposition (HFCVD), with growth rates over 1,5 mu m/h. The growth of samples was made with different gaseous fluxes and different methane percentages (CH4) in hydrogen (H-2). The samples were analyzed through optical microscopy, Scanning Electron Microscopy and Raman spectroscopy scattering. Such analyzes showed the presence of a high purity diamond in all samples.
ÁreaFISMAT
ArranjoFonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > CVD Diamond growth...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP7W/37SMM2S
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP7W/37SMM2S
Idiomaen
Arquivo Alvomoro.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02.53
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn keywords label lineage mark nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16d.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP7W/397FKME
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m19/2011/02.18.10.14   (acesso restrito)
Última Atualização2011:02.18.10.21.41 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m19/2011/02.18.10.14.54
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.04.35.31 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
DOI10.1590/S0103-97332010000300015
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoTokuPesMacMasMen:2010:InPrPa
TítuloInfluence of process parameters on the growth of pure-phase anatase and rutile TiO2 thin films deposited by low temperature reactive magnetron sputtering
Ano2010
MêsSept.
Data de Acesso25 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho599 KiB
2. Contextualização
Autor1 Toku, H
2 Pessoa, R. S
3 Maciel, H. S
4 Massi, M.
5 Mengui, U. A.
Grupo1
2
3
4
5 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Laboratório de Plasmas e Processos, Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 12228-900 São José dos Campos, SP, Brazil
2 Laboratório de Plasmas e Processos, Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 12228-900 São José dos Campos, SP, Brazil
3 Laboratório de Plasmas e Processos, Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 12228-900 São José dos Campos, SP, Brazil
4 Laboratório de Plasmas e Processos, Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 12228-900 São José dos Campos, SP, Brazil
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume408
Número3
Páginas340-343
Histórico (UTC)2011-02-18 10:21:41 :: marciana -> administrator :: 2010
2018-06-05 04:35:31 :: administrator -> marciana :: 2010
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-Chavetitanium dioxide
magnetron sputtering
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
ResumoIn this work is investigated the optimal conditions for deposition of pure-phase anatase and rutile thin films prepared at low temperatures (less than 150°C) by reactive dc magnetron sputtering onto well-cleaned p-type Si substrates. For this, the variation of deposition plasma parameters as substrate-to-target distance, total gas pressure, oxygen concentration, and substrate bias were studied and correlated with the characteristics of the deposited films. The XRD analysis indicates the formation of pure rutile phase when the substrate is biased at voltages between - 200 and - 300 V. Pure anatase phase is only attained when the total pressure is higher than 0.7 Pa. Moreover, it's noticeable a strong dependence of surface roughness with parameters studied.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Influence of process...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement
agreement.html 18/02/2011 08:14 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvoa15v40n3.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02.53
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m19@80/2009/08.21.17.02
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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